数字电子技术二章逻辑门电路.pptx

2.1二极管的开关特性2.4分立元件门电路2.5TTL门电路2.6MOS门电路2.2三极管的开关特性第二章逻辑门电路2.3场效应管的开关特性

掌握：与门、或门、与非门、或非门、与或、非门、异或门、同或门、集电极开路与非门、三态门、传输门的逻辑符号及逻辑功能；TTL与非门和CMOS反相器，传输特性、输入特性及输出特性；TTL与非门的典型参数（Vth,Voff,Von,Is、IIH、Roff、Ron)。理解:TTL与非门、CMOS反相器的工作原理。了解：分立元件门电路。教学基本要求

获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的导通、截止（即开、关）两种工作状态。逻辑0和1：电子电路中用高、低电平来表示。逻辑门电路：用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。简称门电路。基本和常用门电路有与门、或门、非门（反相器）、与非门、或非门、与或非门和异或门等。概述

2.1二极管的开关特性二极管符号：正极负极+uD－Ui0.5V时，二极管截止，iD=0。Ui0.5V时，二极管导通。

ui＝0V时，二极管截止，如同开关断开。uo＝0Vui＝5V时，二极管导通，如同0.7V的电压源，uo＝4.3V二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。

2.2三极管的开关特性

＋－RbRc+VCCbce＋－截止状态饱和状态iB≥IBSui=UIL0.5Vuo=+VCCui=UIHuo=0.3V＋－RbRc+VCCbce＋－＋＋－－0.7V0.3V饱和区截止区放大区

2.3场效应管的开关特性工作原理电路转移特性曲线输出特性曲线uiuiGDSRD+VDDGDSRD+VDDGDSRD+VDD截止状态uiUTuo=+VDD导通状态uiUTuo≈0开启电压可变电阻区截止区饱和区

2.4分立元件门电路2.4.1二极管与门Y=AB

2.4.2二极管或门Y=A+B

2.4.3非门（三极管、场效应管）①uA＝0V时，三极管截止，iB＝0。iC＝0，输出电压uY＝VCC＝5V②uA＝5V时，三极管导通。基极电流为：iB＞IBS，三极管工作在饱和状态。输出电压uY＝UCES＝0.3V。三极管临界饱和时的基极电流：

①当uA＝0V时，uGS＝uA＝0V，小于开启电压UT，MOS管截止。输出电压为uY＝VDD＝10V。②当uA＝10V时，uGS＝uA＝10V，大于开启电压UT，MOS管导通，且工作在可变电阻区，导通电阻很小，只有几百欧姆。输出电压为uY≈0V。采用增强型更合适？

2.5TTL门电路2.5.1TTL与非门的工作原理2.5.2TTL与非门的静态特性2.5.3TTL门电路的改进形式（略）2.5.4TTL门电路的其它类型2.5.6TTL系列集成电路及主要参数2.5.5其它双极型门电路(自学)

2.5.1TTL与非门的工作原理T1000系列与非门

2.5.1TTL与非门的工作原理T2000系列与非门

①输入信号不全为1：如uA=0.3V，uB=3.6V，则T1为饱和状态。3.6V0.3V1V则uB1=0.3+0.7=1V，T2、T5截止，T3、T4导通忽略iB3，输出端的电位为：输出Y为高电平uY≈5―0.7―0.7＝3.6V2.5.1TTL与非门的工作原理

3.6V3.6V②输入信号全为1：如uA=uB=3.6V,T1为倒置状态。2.1V则uB1=2.1V，T2、T5导通，T3、T4截止输出端的电位为：uY=UCES＝0.3V输出Y为低电平

2.当输入有一个或几个低电平0.3V时：拉电流输出T2、T5截止,T3、T4导通,输出电压Vo=3.6V=VOH。ABY1.当输入全为高电平3.6V时：T2、T5饱和导通，输出Vo=0.3V=VOL；漏电流输出TTL门电路各晶体管工作状态

TTL门电路各晶体管工作状态?T1T2T3D4T4输出高电平(关态)深饱和截止导通导通截止输出低电平(开态)倒置饱和截止截止饱和

1.电压传输特性2.5.2TTL与非门的静态特性传输特性：TTL与非门电路的输入电压Ui和输出电压Uo之间的关系，Ui和Uo之间的关系可以通过实际测量得到。测量电路

2）重要参数（1）阈值电压VTH=1.4V（2）关门电平VOFF定义：Vo=VSH=2.4V时对应的输入电平值： VOFF=0.8V（3）开门电平VON定义：Vo=VSL=0.