- 1、本文档共23页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
二极管
二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件,具有按照外加电压的方向,使电流流动或不流动的性质。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
二极管图示
二极管的特性
二极管是一种具有单向导电的二端 器件,有电子二极管和晶体二极管之分,电子二极管现已很少见到,比较常见和常用的多是晶体二极管。二
极管的单向导电特性,几乎在所有的电子 电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的 半导体器件之一,其应用也非常广泛。
二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降 0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。 主要有三种颜色,具体压降参考值如下:红色发光二极管的压降为 2.0--2.2V,黄色发光二极管的压降为 1.8—2.0V,绿色发光二极管的压降为 3.0—3.2V,正常发光时的额定电流约为 20mA。
二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
二极管的特性曲线
与PN结一样,二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安特性曲线
(图)。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号 UD表示。
对于锗二极管,开启电压为 0.2V,导通电压UD约为0.3V。
在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击
穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号 UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。
二极管的反向击穿齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的
情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结
构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子 -空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生
齐纳击穿。
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使少子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击
穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成 PN结永久性损坏。
二极管的应用
1、整流二极管
利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。
2、开关元件
二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。
3、限幅元件
二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。
4、继流二极管
在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。
5、检波二极管
在收音机中起检波作用。
6、变容二极管
使用于电视机的高频头中。
7、显示元件
用于VCD、DVD、计算器等显示器上。
8、稳压二极管
反向击穿电压恒定,且击穿后可恢复,利用这一特性可以实现 稳压电
路。
二极管的工作原理
二极管实物
晶体二极管为一个由 p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消
作用使载流子的扩散电流增加引起了 正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向 偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定 程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量
电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。
p-n结的反向击穿有齐纳击穿
文档评论(0)