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第6章宽带天线;
6.1宽带线天线;
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可得行波单导线天线的远区辐射场为
式中,r为原点至场点的距离,θ为z轴与射线之间的夹角。;
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图6.1.2是当l等于λ、1.5λ和3λ时行波单导线天线E面的归一化方向图。由图可以看出,沿轴线方向辐射恒为零。l/λ越大,θm越小,主瓣最大值越贴近导线轴方向,主瓣变窄,副瓣数目增多,副瓣电平变大;当l/λ很大时,θm随l/λ的变化很小,因此天线方向图的带宽越宽。;
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图6.1.3所示为行波单导线天线的辐射电阻Rr与l/λ的关系曲线,图6.1.4所示为行波单导线天线的方向系数D与l/λ的关系曲线。
由图6.1.3和图6.1.4可以看出,随着电长度(l/λ)的增加,行波单导线天线的辐射电阻和方向系数都在增大,但增大到一定程度后速度减缓。由于线上电流为行波分布,故行波单导线天线的输入阻抗等于其特性阻抗,且由于损耗很小,其特性阻抗近似为实数,因此,行波单导线天线的输入阻抗几乎是纯电阻。长的行波单导线天线的辐射电阻为200~300Ω。;
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6.1.2菱形天线
为了增加行波单导线天线的增益,可以利用排阵的方法,用4根行波单导线构成如图6.1.5所示的菱形天线。;
参见图6.1.6(a),若令θ=θm(θm由式(6.1.7)确定)为单导线最大辐射方向和导线轴间的夹角,θ0为菱形的半锐角,这样1、2、3、4四根行波导线各有一主瓣指向菱形的长对角线方向。;
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其中图6.1.7(a)为垂直面(xOz)方向图,图6.1.7(b)为水平面(xOy)方向图。;;
由于菱形天线各边的自辐射电阻要比相邻各边的互辐射电阻大得多,故工程上近似认为菱形天线的总辐射电阻等于各边的自辐射电阻之和,即
式中,Rr,l是边长为l的行波单导线的自辐射电阻。;
6.2双锥天线;
6.2.1无限双锥天线
无限双锥天线如图6.2.1所示,高频振荡电压通过两定点之间的缝隙馈入。该天线可以用传输线理论来分析。由于其结构是无限长的,其上电流没有反射波,因此线上电流为行波分布。缝隙处存在时变的电场,驱使电流由馈电点处沿着导体面流动。由于结构以z轴旋???对称,因此磁场只有Hφ分量。考虑这种双锥传输线的TEM模式(所有场对传播方向为横向),则电场将垂直于磁场,即电力线沿θ方向。;
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;;?;
如图6.2.1所示,圆锥上的总电流可以通过积分锥表面的电流密度Js求得,积分路径为围绕圆锥积分一周。由导体表面上的边界条件可得上圆锥表面的面电流密度为
于是上圆锥上的电流为
将式(6.2.4)代入式(6.2.10)得;
由式(6.2.8)和式(6.2.11)可得,对于任意r值,无限双锥的特性阻抗为
可见无限双锥的特性阻抗沿线为一常数。因为线上为行波,所以输入阻抗Zin与特性阻抗相等。因此,双锥天线的输入阻抗也只与θh有关,阻抗频宽也为无限宽,故双锥天线的频带宽度为无限。将η≈120π代入式(6.2.12),可得自由空间的无限双锥天线输入阻抗为;
6.2.2有限长双锥天线
由式(6.2.6)和式(6.2.13)可知,无限双锥天线的特性不随频率变化,其带宽是无限宽的。实际应用中的双锥天线不可能是无限长的,有限长双锥天线如图6.2.2所示。半锥的高度为h,除了TEM主模,由于双锥末端的反射,线上还有高次模存在。天线电抗主要是由高次模引起的,此时线上的电流分布为驻波分布,输入阻抗不等于线的特性阻抗。;
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当图6.2.2中的半顶角θh增加时,双锥天线的带宽逐渐变宽,且可使输入阻抗的电抗部分保持最小。有限长双锥天线可以获得从单锥高度到λ/4~λ/2范围内的2∶1的阻抗带宽,其宽频带特性也可从振子线径增粗的角度来理解。;
6.3套筒天线;
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h=λ/4和λ/2时单极子上的电流分布分别如图6.3.1(b)和图6.3.1(c)所示。当h=λ/4时,馈电点上的电流为波腹值Im;当h=λ/2时,馈电点上的电流很小。半波对称振子和全波对称振子归算于波腹点电流的辐射电阻分别为73.1Ω和200Ω,相应的在地面上的h=λ/4和h=λ/2的单极子天线的辐射电阻为其一半,分别为Rm1=36.55Ω和Rm2=100Ω。归算于输入端电流的辐射电阻为;
当天线的损耗很小时,天线的输入电阻与天线的归算于输入端电流的辐射电阻相等,有;
如图6.3.1(a)所示,套筒天线的实际馈电点在馈线与单极子的连接处。由于套筒的加入,在套筒的上端形成了一个虚拟的馈电点,因此,套筒将单极子的馈电点提高了。套筒天线的输入阻抗在至少一个倍频中保持近似不变,在此范围内,天线的方向图变化也不大。
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