晶体硅光伏电池高温反向耐压测试要求-.docx

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CCS

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团体标准

T/CPIAFORMTEXTXXXX—202X

FORMTEXT?????

FORMTEXT晶体硅光伏电池高温反向耐压测试要求

FORMTEXTThetestrequirementsofthereversevoltageforcrystallinesiliconphotovoltaiccellsunderhightemperature

工作组讨论稿

FORMTEXT2024年5月22日

FORMDROPDOWN

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX发布

FORMTEXTXXXX-FORMTEXTXX-FORMTEXTXX实施

FORMTEXT中国光伏行业协会??发布

STYLEREF标准文件_文件编号T/CPIAXXXX—202X

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STYLEREF标准文件_文件编号T/CPIAXXXX—202X

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晶体硅光伏电池高温反向耐压测试要求

范围

本文件规定了晶体硅光伏电池高温反向击穿的测试流程与方法,包括测试设备、样品准备、高温击穿样品准备等，评估电池片高温击穿风险。

本文件适用于晶体硅光伏电池高温情况下的反向击穿电压测试及风险评估。

规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

待补充

术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

雪崩击穿类型Avalanchebreakdowntype

晶体硅光伏电池反向漏电流随温度升高而降低，击穿电压随着温度升高而降低。

齐纳击穿类型Zenerbreakdowntype

晶体硅光伏电池反向漏电流随温度升高而升高，击穿电压随着温度升高而降低。

测试设备

执行本文件中规定的反向耐压击穿实验需以下设备:

高温加热台,加热温度范围为0℃～200℃可调，具体设备如图1所示；

直流稳压源直流电压精度0.1V，电流测量精度0.1A，稳压源具备限流功能，防止电流过大，产生安全风险，具体设备如图2所示；

红外测温仪如图3所示。

高温加热台

直流电源

红外测温仪

样品准备

分别对待测电池片正、负极栅线进行焊接,为了进一步测量方便可对正负极进行汇流条焊接处理,如图1所示，焊接过程中注意正负极发生短路现象，影响测试。

电池片电极连接图

测试方法

室温条件下反向漏电的数据测量

打开直流电源,将电源正级与待测电池负极相连，电源负极与待测电池正极相连，调节测试电压，在-12V至-19V之间，每隔1V记录待测电池漏电流。结果记录在反向漏电流表中，如附录A所示。

高温条件下反向漏电的数据测量

打开高温加热台,根据环境条件，设置加热台温度（推荐台面温度180℃），并放置待测电池,根据红外相机测试温度，微调加热台温度，使得待测电池温度稳定在135℃。打开直流电源,在高温条件下测量样品-12V～-19V电池片的漏电电流值,电压间隔单位1V，记录漏电电流值，并记录红外发热图片。

分别根据记录数据,作反向漏电流与反向电压关系曲线。

不同电池根据产品实际热斑温度进行选定，PERC，Topcon推荐135℃，电池片内温差±5℃之内。

对于二极管并联电池数据较多的组件，测试电压可以上调。

高温击穿判定标准

低于或等于热斑时电池承受电压的，应予以改进。

漏电流随温度升高而升高(齐纳特征)，该样品进行风险预警。

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（资料性）

示意图

齐纳特征与雪崩特征示意图

齐纳特征如图A.1所示，雪崩特征如图A.2所示。

齐纳击穿特征

雪崩击穿特征

高温击穿不合格样品示意图

高温击穿不合格样品如图A.3所示。

高温击穿不合格样品

反向漏电流记录表

反向漏电流记录如表A.1所示。

反向漏电流记录表

样片

编号

温度

不同反压下的漏电流

-12V

-13V

-14V

-15V

-16V

-17V

-18V

-19V

1#

室温

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135℃

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2#

室温

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135℃

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3#

室温

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