半导体材料晶体生长课后答案.docx

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第三章、晶体生长

一、 名次解释:

⑴均匀成核:在亚稳定相中空间个点消灭稳定相的几率相等的成核过程,是在体系中直接形成的自发过程。

⑵*非均匀成核:稳定相优先消灭在体系中的某些局部区域的成核过程,如在体系中的外来质点〔尘埃、籽晶、衬底等〕上的成核。

⑶成核过程:在肯定的驱动力下,借助于能量涨落越过位垒而形成晶核的过程。

⑷临界半径:在晶体成核过程中,体系自由能总的变化量ΔG到达最大时所对应的半径r*称为临界半径。

⑸*自然对流:在重力场中由于温度的不均匀,导致热膨胀的差异从而引起流体密度的差异产生浮力。当浮力抑制了粘滞力,自然对流就发生。。

⑹强迫对流:人为对熔体进展搅拌〔晶体和坩埚旋转、

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