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Y掺杂Ag2S半导体铁磁性的第一性原理计算研究
摘要
Ag2S半导体具有较高的化学稳定性，室温下能隙值只有1.0eV，其光电和热电性能也很优异，受到广大科学研究者们的关注与研究，在光电子学中的诸多方面都有所应用。掺杂可改变半导体中载流子的种类并引入杂质能级，进而改变自旋极化率，为调控材料磁性提供了有效手段。并且非磁性4d元素Y其本身的零磁矩保证了主体材料铁磁性的内禀性。
本论文通过VASP软件的第一性原理计算分析Y掺杂和缺陷对Ag2S半导体材料的自旋态密度和磁矩的影响发现，Y掺杂并贡献自旋极化和磁矩，只有S取代Ag的反位缺陷可以引起自旋极化和磁矩，且主要
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