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第一章习题
Ec=设晶格常数为a的一维晶格，导带微小值四周能量Ec(k和价带极大值四周能量EV(k分别为：
Ec=
〔1〕禁带宽度;
〔2〕导带底电子有效质量;
〔3〕价带顶电子有效质量;
〔4〕价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：〔1〕
解：依据：得晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。
解：依据：
得
补充题1
分别计算Si〔100〕，〔110〕，〔111〕面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度〔提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图〕
Si在〔100〕，〔110〕和〔111
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