半导体材料的方阻和电阻率的测量研究.docx

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试验六半导体材料的方阻和电阻率的测量争论

试验目的:

1把握四探针法测量半导体材料方阻的根本原理和方法。

2把握半导体电阻率的测量方法。

3.把握半导体阻值与光照及温度的关系。

试验原理:

四探针法是用针距约为1mm的四根金属同时排成一列压在平坦的样品外表上,如图1-1所示,其中最外部二根〔图1-1中1、4两探针〕与恒定电流源连通,由于样品中有恒电流I通过,所以将在探针2、3之间产生压降V。该电流I、压降V与样品方阻甩的关系为

R□二C辛

〔1--1〕

〔1--1〕式中C为修正因子。假设测量中选择的电流大小等于修正因子 C,

那么方阻

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