半导体器件与物理试题.docx

半导体器件与物理试题.docx

此“教育”领域文档为创作者个人分享资料,不作为权威性指导和指引,仅供参考
  1. 1、本文档共23页,其中可免费阅读7页,需付费120金币后方可阅读剩余内容。
  2. 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
  3. 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  4. 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

第10页共2页

西安电子科技大学

考试时间 120 分钟

试 题〔A〕

题号

题号

总分

分数

1.考试形式:闭卷;2.本试卷共六大题,总分值100分。

班级 学号 姓名 任课教师 贾章、游海龙

一、(20分)名词解释

单边突变结

大注入

基区自偏压效应

放射极电流集边效应

小信号

雪崩击穿

二、(16分)对PN结解连续性方程基于哪几个根本假设得到下述I-V特性?

I=A(

qDnnpLn

qDppn

0Lp

0

qV

)(ekT?1)

0请说明实际伏安特性与上述表达式给出的抱负伏安特性的主要差

文档评论(0)

写作定制、方案定制 + 关注
官方认证
服务提供商

专注地铁、铁路、市政领域安全管理资料的定制、修改及润色,本人已有7年专业领域工作经验,可承接安全方案、安全培训、安全交底、贯标外审、公路一级达标审核及安全生产许可证延期资料编制等工作,欢迎大家咨询~

认证主体天津济桓信息咨询有限公司
IP属地天津
统一社会信用代码/组织机构代码
91120102MADGE3QQ8D

1亿VIP精品文档

相关文档