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《微电子封装技术》试卷标准答案

一、填空题（每空2分，共40分）

1、膜技术2、粘度3、金属氧化物4、金属5、转移成型技术6、软式印

制电路板7、极性/非离子污染8、热膨胀系数9、倒线10、可靠性11、陶

瓷球栅阵列12、预型片13、打线键合14、光刻工艺15、挥发性物质16、

四边引脚17、凸点18、功能相19、收缩20、倒装芯片。

二、简答题（每小题6分，共30分）

1、答：一般可将厚膜浆料分为：聚合物厚膜、难熔材料厚膜与金属陶瓷厚膜三

种类型。

…………2分

传统的金属陶瓷厚膜包括4种成分，分别为：

（1）有效物质：确定膜的功能，即确定膜为导体、介质层、电阻。

…………1分

（2）粘贴成分：提供与基板的粘贴以及使有效物质颗粒保持悬浮状态的基

体。

…………1分

（3）有机粘贴剂：提供丝网印刷印制的合适流动性能。

…………1分

（4）溶剂或稀释剂：它决定运载剂的粘度。

…………1分

2、答：

（1）传递电能，主要是电源电压的分配和导通。

（2）传递电信号，主要是将电信号的延迟尽可能减小，在布线时应尽可能

使信号线与芯片的互联路径以及通过封装的I/O接口引出的路径达到最短。

（3）提供散热途径，主要是指各种芯片封装都要考虑元器件、部件长期工

作时如何将聚集的热量散失的问题。

（4）提供结构保护与支撑，主要是指芯片封装的机械可靠性。

…………6分

3、答：

工艺流程如下：

……3分

先划片后减薄：即在背面磨削之前先将硅片的正面切割出一定深度的切口，

然后再进行背面磨削；

减薄划片：即在减薄之前先用机械的或化学的方法切割出切口，然后用磨削

的方法减薄到一定厚度以后，采用常压等离子体腐蚀去除剩余加工量，实现裸芯

片的自动分离。

……3分

4、答：

工艺流程如下：PCB板覆铜箔——镀胶（光刻胶，正胶或负胶）——曝光

（利用掩膜板，正胶的掩膜板和实际电路模型一样，负胶的掩膜板则是实际电路

外地线路模型）——显影（显出实际电路图型，以正胶为例）——镀锡（保护实

际电路防止污染）——去胶（显出非电路部分的铜箔，实际电路被锡覆盖）——

刻蚀（刻蚀掉非线路部分的铜箔）——去锡（显出实际电路图形）。

……6分

5、答：

常见缺陷：金线偏移、翘曲、锡珠、墓碑现象、空洞。

……2分

产生金线偏移的原因分析：

树脂流动产生的拖曳力；导线架变形；气泡移动；过保压/迟滞保压；填充

物的碰撞。

……4分

三、论述题（每题15分，共30分）

1、答：

（一）波峰焊与再流焊的工艺特点及原理分析

（1）波峰焊工艺特点

先将微量的贴片胶印刷或滴涂到元器件底部或其边缘位置处，再将片式元器

件贴放在印制板表面规定的位置，然后再将贴装好元器件的印制