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半导体物理与器件公式以及参数
KT=0.0259ev N c=2.8?1019 Nv=1.04?1019
SI材料的禁带宽度为：1.12ev.硅材料的ni=1.5?1010
Ge材料的ni=2.4?1013 GaAs材料的ni=1.8?106
介电弛豫时间函数：瞬间给半导体某一外表增加某种载流子，最终达
到电中性的时间，ρ(t)=ρ(0)e?(t/τd)，其中τd=
?，最终通过证
σ
明这个时间与一般载流子的寿命时间相比格外的短暂，由此就可以证明准电中性的条件。
F FiE热平衡状态下半导体的费米能级，E 本征半导体的费米能
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