获得集成电路布局设计的方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102779725A

(43)申请公布日2012.11.14

(21)申请号CN201110170054.9

(22)申请日2011.06.21

(71)申请人南亚科技股份有限公司

地址中国台湾桃园县

(72)发明人谢明灯陈逸男刘献文

(74)专利代理机构深圳新创友知识产权代理有限公司

代理人江耀纯

(51)Int.CI

H01L21/02

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

获得集成电路布局设计的方法

(57)摘要

本发明公开了一种获得集成电路布

局设计的方法，其中，将集成电路芯片通

过倾斜角度抛光而形成抛光斜面，并获得

抛光斜面的一个或多个影像。将所述的多

个影像直接重叠，或使用所述的影像或所

述的多个影像用以提供数据，而获得包括

布局结构的至少一重复单元结构的布局设

计。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种获得集成电路布局设计的方法，其特征在于包括：

提供一集成电路芯片，包括一集成电路的布局结构及一介电材料填层，其

中所述的布局结构包括一重复单元结构的阵列；

将所述的集成电路芯片通过倾斜角度抛光而形成一抛光斜面；

取得所述的抛光斜面的多个区域的多个影像；及

将所述的多个影像重叠，获得包括有所述的布局结构的至少一个重复单元

结构的布局设计。

2.根据权利要求1所述的获得集成电路布局设计的方法，其特征

在于，在形成所述的抛光斜面后及取得所述的多个影像前，还包括：

在抛光斜面上进行一蚀刻工艺，而移除一表面厚度的所述的介电材料填

层。

3.根据权利要求2所述的获得集成电路布局设计的方法，其特征在于，所

述的蚀刻工艺包括将所述集成电路芯片的所述抛光斜面浸渍于蚀刻液中，移

除所述表面厚度的所述介电材料填层。

4.一种获得集成电路布局设计的方法，其特征在于包括：

提供一集成电路芯片，包括一集成电路的布局结构及一介电材料填层，布

局结构包括一重复单元结构阵列；

将集成电路芯片通过一倾斜角度抛光而形成一抛光斜面；

取得所述的抛光斜面的多个区域的多个影像；及

使用所述的多个影像所提供的信息而获得一包括有所述布局结构的至少

一重复单元结构的布局设计。

5.根据权利要求4所述的获得集成电路布局设计的方法，其特征在于，在

形成所述的抛光斜面后及取得所述的多个影像前，包括：

在抛光斜面上进行一蚀刻工艺，用以移除表面厚度的所述介电材料填层。

6.根据权利要求5所述的获得集成电路布局设计的方法，其特征在于，所

述的蚀刻工艺包括将所述集成电路芯片的所述抛光斜面浸渍于一蚀刻液中，

用以移除所述表面厚度的所述介电材料填层。

7.根据权利要求4所述的获得集成电路布局设计的方法，其特征在于，将

所述的多个影像中的至少一個放大及放置于一载体上，及获得所述包括有所

述布局结构的所述至少一重复单元结构的布局设计的步骤，包

括：

与所述的多个影像的其它影像比较，于所述的载体上的经放大的所述的影

像上画出所述的布局结构未显示的部分。

8.根据权利要求7所述的获得集成电路布局设计的方法，其特征在于，在

形成所述的抛光斜面后及取得所述的等影像前，包括：

在抛光斜面上进行蚀刻工艺，用以移除表面厚度的所述的介电材料填层。

9.根据权利要求8所述的获得集成电路布局设计的方法，其特征在于，所

述的蚀刻工艺包括将所述集成电路芯片的所述抛光斜面浸渍于蚀刻液中，用

以移除所述表