文稿成果单沟道mosfet ce prm6r5n08ctf 220.pdfVIP

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PRM6R5N08CTF

PFCDeviceCorporation

80VSingleN-ChannelMOSFET

MajorratingsandcharacteristicsPRM6R5N08CTF

CharacteristicsValuesUnits

VDS80V

I(T=25℃)49A

DC

Max.RDS(ON)@VGS=10V6.5m

TJOperatingJunctiono

-55to+150C

TemperatureS

D

G

GeneralDescriptionITO-220

TheN-Channelenhancementmodepower

fieldeffecttransistorisusingtrenchDMOS

technology.Thisadvancedtechnologyhas

beenespeciallytailoredtominimize

on-stateresistance,providesuperior

switchingperformance,andwithstandhigh

energypulseintheavalancheand

commutationmode.Thedeviceiswell

suitedforhighefficiencyfastswitching

applications.

TypicalApplicationsFeatures

ChargerAdapterMax.R=6.5mΩ@V=10V

DS(ON)GS

PowerToolsImproveddv/dtcapability

LEDLightingFastswitching

100%EASGuaranteed

GreenDeviceAvailable

May-2016Version4.01/8

CharacteristicsPRM6R5N08CTF

1.Ch

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