模拟多路开关详解课件.pptVIP

第3章模拟多路开关3.1概述3.2多路开关的工作原理及主要技术指标3.3多路开关集成芯片3.4多路开关的电路特性3.5多路开关的配置3.6模拟多路开关的应用数据采集与处理技术模拟多路开关

3.1概述多路开关：多路开关：在多路被测信号共用一路A/D转换器的数据采集系统中，用来将多路被测信号分别传送到A/D转换器进行转换，以便计算机能对多路被测信号进行处理。D0D1YD2D3AA21四选一多路开关数据采集与处理技术模拟多路开关

3.1概述多路开关：类型：u机电式：用于大电流、高电压，低速切换场所；u电子式：用于小电流、低电压，高速切换场所。机电式：电子式：电子多路开关由于是一种集成化无触点开关，不仅寿命长、体积小，而且对系统的干扰小。数据采集与处理技术模拟多路开关

3.1概述多路开关：电子多路开关根据结构可分为：u双极性晶体管开关u场效应晶体管开关CECEBB?结型?绝缘栅型(MOS)NPNPNPu集成电路开关双极型晶体管数据采集与处理技术模拟多路开关

3.1概述多路开关：电子多路开关根据结构可分为：u双极性晶体管开关u场效应晶体管开关?结型?绝缘栅型(MOS)u集成电路开关数据采集与处理技术模拟多路开关

3.1概述多路开关：电子多路开关根据结构可分为：u双极性晶体管开关绝缘栅型场效应管N沟道耗尽型P沟道耗尽型DDu场效应晶体管开关GG?结型SS?绝缘栅型(MOS)DDu集成电路开关GGSSN沟道增强型P沟道增强型数据采集与处理技术模拟多路开关

3.1概述多路开关：PMOS和NMOS结合可以构成CMOS(互补对称MOS：ComplementaryMetal-Oxide-SemiconductorTransistor互补型金属氧化物半导体)电子多路开关根据结构可分为：u双极性晶体管开关CMOS型场效应管开关u场效应晶体管开关的优点：n导通电阻RON随信号电压变化波动小；?结型?绝缘栅型(MOS)NMOSPMOSRONu集成电路开关信号电压CMOS数据采集与处理技术模拟多路开关

3.1概述多路开关：PMOS和NMOS结合可以构成CMOS(互补对称MOS：ComplementaryMetal-Oxide-SemiconductorTransistor互补型金属氧化物半导体)电子多路开关根据结构可分为：u双极性晶体管开关CMOS型场效应管开关u场效应晶体管开关的优点：n开关接通时间短，小于100ns；?结型功耗低；?绝缘栅型(MOS)nn工作电压范围宽n抗干扰能力强u集成电路开关n温度稳定性能好n易于和驱动电路集成数据采集与处理技术模拟多路开关

3.1概述多路开关：电子多路开关根据结构可分为：集成电路开关是将场u双极性晶体管开关u场效应晶体管开关效应管、地址计数器、译码器及控制电路等集成制造在一块芯片上而构成的器件。?结型?绝缘栅型(MOS)特点：除了具有场效应管的特性之外，还具有体积小、使用方便等优点。u集成电路开关数据采集与处理技术模拟多路开关

3.2多路开关的工作原理及主要技术指标1.多路开关工作原理VDDu双极型晶体管开关其工作原理如下：Ui1UT1模拟信号1通道选择1oR21+15VUC1R11T1?设选择第1路模拟信号。则令通道控制信号U=0，晶...C1截止，集电极为高体管T1′电平，晶体管T导通，输模拟信号8Ui8T81入信号电压U被选中。i1R28+15V?同理，当令通道控制信号UC8R18通道选择8T8U=0时，则选中第2路模C2拟信号，U=U。Oi2?……双极型晶体管开关电路数据采集与处理技术模拟多路开关

3.2多路开关的工作原理及主要技术指标1.多路开关工作原理VDDu双极型晶体管开关Ui1UT1模拟信号1通道选择1oR21+15V注意：在控制信号U～UC8C1中不能同时有两个或R11UC1T1两个以上为0。...优点：开关速度快。模拟信号8UT8i8缺点：?漏电流大，开路电阻小，导通电阻大。R28+15VUC8R18通道选择8T8?电流控制器件，功耗大，集成度低，一个方向传送信号。双极型晶体管开关电路数据采集与处理技术模拟多路开关

3.2多路开关的工作原理及主要技术指标1.多路开关工作原理Ui1u场效应管开关T1UoVDDR21①结型场效应管开关工作原理如下：UC1R11通道选择1T1...?设选择第1路信号。则令通道Ui8T8控制信号U=1，开关控制管C1VT′导通，集电极为低电平，DDR281场效应管T导通，U=U。通道选择8UC8R181Oi1T8?当U=0时，T′截止，T也截C111止，第1路输入信号被切断。?其他各路操