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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN102354526A
(43)申请公布日2012.02.15
(21)申请号CN201110152857.1
(22)申请日2011.06.08
(71)申请人大连市恒珑科技发展有限公司
地址116000辽宁省大连市高新园区海外创业大厦402
(72)发明人张建伟吴国强吴志刚沙建军
(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人黄德海
(51)Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
具有区间匹配功能的CAM存储单
元、字电路及存储器
(57)摘要
本发明提出一种具有区间匹配功能
的CAM存储单元、CAM字电路和CAM
存储器。其中,该具有区间匹配功能的
CAM存储单元包括读写及存储单元100、
第一MOS管MN1、第二MOS管MN2、
第三MOS管MN3、第四MOS管MN4、
相互串联的第五MOS管MN5和第六MOS
管MN6、以及相互串联的第七MOS管
MN7和第八MOS管MN8。本发明实施例
能够有效地改善电路的漏电功耗。同时,
本发明实施例还能给在不增加晶体管个数
的基础上有效地加快操作控制字的写入时
间,从而能够极大地提高CAM存储器的
性能。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种具有区间匹配功能的CAM存储单元,其特征在于,包括:
读写及存储单元,所述读写及存储单元分别与字线(WL)以及位线(BL)相连,且所
述读写及存储单元具有第一端(D)和第二端(D#),其中,第二端(D#)为所述第一端
(D)的逻辑非;
第一MOS管(MN1)和第二MOS管(MN2),所述第一MOS管(MN1)和第二MOS管
(MN2)的第一端分别与第一输入(EQpath)和第二输入(GEpath)相连,且所述第一
MOS管(MN1)和第二MOS管(MN2)的第二端分别作为第一输出和第二输出;
相互串联的第五MOS管(MN5)和第六MOS管(MN6),所述第五MOS管(MN5)和
第六MOS管(MN6)的栅极分别与所述读写及存储单元的第一端(D)和第二端(D#)相
连,且所述第五MOS管(MN5)的第一端与第三输入(SL)相连,所述第六MOS管
(MN6)的第一端与第四输入(SL#)相连,所述第五MOS管(MN5)和第六MOS管
(MN6)之间的节点与所述第一MOS管(MN1)和第二MOS管(MN2)的栅极均相连;
相互串联的第七MOS管(MN7)和第八MOS管(MN8),所述第七MOS管(MN7)和
第八MOS管(MN8)的栅极分别与所述读写及存储单元的第二端(D#)和第一端(D)相
连,且所述第七MOS管(MN7)的第一端与第三输入(SL)相连,所述第八MOS管
(MN8)的第一端与第四输入(SL#)相连,其中,所述第四输入(SL#)为所述第三输入
(SL)的逻辑非;
第三MOS管(MN3),所述第三MOS管(MN3)的栅极与所述第七MOS管(MN7)和
第八MOS管(MN8)之间的节点相连,且所述第三MOS管(MN3)的第一端与所述第
二输入(GEpath)相连;和
第四MOS管(MN4),所述第四MOS管(MN4)的栅极与所述第三输入(SL)相连,所
述第四MOS管(MN4)的第一端与所述第三MOS管(MN3)的第二端相连,且所述第
四MOS管(MN4)的第二端接地。
2.如权利要求1所述的具有区间匹配功能的CAM存储单元,其特征在于,所述第
一MOS管(MN1)至所述第八MOS管(MN8)均为NMOS管。
3.如权利要求1所述的具有区间匹配功能的CAM存储单元,其特征在于,所述
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