WD半导体集成电路工艺复习.docx

名目

第一次作业:(6

1,集成时代以什么来划分?列出每个时代的时间段及大致的集成规模。(6

2,什么是芯片的集成度?它最主要受什么因素的影响?(6

3,说明硅片与芯片的主要区分。(6

4,列出集成电路制造的五个主要步骤,并简要描述每一个步骤的主要功能。(6

5,说明封装的主要作用。对封装的主要要求是什么。(7

6,什么是芯片的关键尺寸?这种尺寸为何重要?自半导体制造业开头以来,芯片的关键尺寸是如何变化的?他对芯片上其他特征尺寸的影响是什么?(7

7,列出当前封装中将芯片固定在基座上所承受的主要互连技术。(7

8,列出半导体工艺史上的几个主要工艺,并说明当前的主流工艺是什么,以及该工艺的主要优点。(7

9,试是说明芯片集成率的含义,且说明对特定的工艺而言影响芯片成品率的主要因素是什么及为什么。(7

10,BiCMOS工艺的主要技术特点是什么?由此所带来的主要优点是什么?(7

其次次作业:(8

1,芯片制造的重要根底是什么?(8

2,芯片加工环境指什么?半导体产业如何掌握芯片制造过程中加工环境的沾污?

(8

3,给出半导体制造中沾污及致命缺陷的定义。(8

4,说明五类净化间的沾污。(8

5,解释什么是静电释放,并给出在硅片制造中由ESD引起的三种问题及ESD的三种掌握方法。(8

6,名词解释:(11级净化间(210级0.3um(3超细颗粒(4U(x(8

7,举例说明用于微电子器件制造的主要衬底材料类型。(9

8,指出目前最为常用的半导体材料,并给出其被普遍使用的主要缘由。(9

9,什么是掺杂?为什么掺杂对半导体制造很重要?说明掺杂硅的两种主要类型及他们之间的最主要区分。(9

10,化合物半导体的主要类型,各自的典型材料及主要应用领域。(9

11,砷化镓相对于硅的主要优缺点及其应用领域。(9

12,什么是杂质的补偿作用?发生杂质补偿的半导体材料的导电类型如何确定?

(9

第三次作业:(10

1,制造半导体器件的核心是什么?并说明半导体器件工艺的根本原理。(10

2,试给出CMOSIC芯片制造的4种根底工艺,并说明每种工艺的主要作用。

(10

3,列出硅片制造厂的6个主要生产区,简要说明各区的主要作用,并举例至少一种各区的典型设备。104,什么是掺杂?硅半导体工艺中承受何种工艺实现掺杂?它们的根本原理是什么?(10

5,半导体工艺中常用的薄膜形成工艺有哪些?并举例说明它们可分别用于哪些材料的淀积(每种工艺只列一种材料(11

6,什么是CMP?其主要作用是什么?最终目的是什么?(11

7,什么是外延层?其主要作用是什么?并说明其在当前IC工艺中的主要应用。

(11

8,哪些根本工艺方法要用到掩膜板?并说明在这些工艺中掩膜板的主要作用。

(11

9,光刻的主要目的是什么?光刻胶再光刻中的作用是什么?(11

10,确定有光刻胶掩盖硅片的三个生产区,并简洁说明光刻胶在各区的作用。

(11

11,什么是中测?什么是成测?探针测试和芯片成品率的统计分别是在哪一次测试?(11

第四次作业:(12

1,试给出CMOS工艺操作的三种根本类型,并说明每种类型的主要作用及主要工艺。(12

2,工艺最终生长在顶层的介质层称为什么?由什么材料构成?其主要作用是什么?

(12

3,试画出CMOS双阱工艺中器件构造的剖面图并在其上标注出主要材料层的名称。(12

4,IC集成工艺与分立器件工艺有什么不同?(13

5,画出标准埋层双极晶体管的剖面构造图并标注出相应的材料图。(13

6,试说明什么是双极晶体管的埋层以及埋层的作用。(14

7,试说明在标准埋层双极晶体管工艺中器件之间是如何隔离的。(14

8,试说明标准埋层双极晶体管的集电极是如何引出的及其作用。(14

9,试描述标准埋层双极晶体管工艺的主要流程并说明光刻掩膜版的作用。(15

10,试说明MOSIC中器件之间是如何隔离的,并说明器件隔离的主要作用和根本方法。(15

11,试说明什么是LOCOS和它的主要作用以及该工艺的主要步骤,并说明该工艺存在的主要问题和解决方法。(15

12,亚微米CMOS工艺承受的标准隔离技术是什么?试说明其主要工艺步骤。

(15

第五次作业:(15

试说明LOCOS和STI中淀积的衬垫氧化硅层以及场注的主要作用。(15

试说明双阱CMOS工艺中用到的主要光刻掩膜版及其作用。(16

列出简化的双阱CMOS工艺流程中的主要步骤,并说明该流程的两个主要特点。(16

请说明在形成晶体管的有源区掺杂过程中需要进展哪些保护?分别用什么材料作为保护层?(16

接触孔和通孔的作用是什么?它们是如何形成的?什么是钨塞。试说明其主