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第七讲金属和半导体的接触
7.4金属半导体整流和非整流接触
1.整流接触
（a）金属和n型半导体接触
V＞0
V=0
−q[(V)+V]
q(V－V)
势垒降低s0
D
qV=−q(V)
qΦnsEDs0qΦnsEc
cE
EF(E)qVFn
Fm
E
v
E
v
W
J＞J
电子s→mm→s
电子数半导体→金属=电子数金属→半导体正向电流J=Js→m－Jm→s
V＜0
势垒增高−q[(V)+V]
s0整流效应
qΦns
(E)
Fm－qVEc正向：半导体一边的势垒随外加
EFn电压的增加而减小。
E
v反向：金属一边的势垒不随外加
电压变化，从金属到半导体的电
子流是恒定，出现反向饱和电流。
电子Jm→s＞Js→m
反向电流J=J－J
m→ss→m
（很小）
(b)金属和p型半导体接触
表面势(V)＞0接触势垒（阻挡层）
s0
EE
00
E
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