晶体三极管及场效应管课件.pptVIP

第四晶体三极管及效管

晶体三极管一、晶体管的构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射入特性和出特性四、温度晶体管特性的影响五、主要参数

一、晶体管的构和符号双极型三极管（BJT）是半体三极管的一种型，有空穴和子两种流子参与，故称双极型，又称半体三极管，有两种型:NPN型和PNP型。NPN构NPN符号PNP构PNP符号

大功率管中功率管小功率管度高度很面大低，且很薄晶体管有三个极、三个区、两个PN。

二、晶体管的流分配与放大原理少数流子的运因集区面大，在外作用下大部分散到基区的子漂移到集区因基区薄且多子度低，使极少数散到基区的子与空穴复合因射区多子度高使大量子从射区散到基区基区空穴的散散运形成射极流I，复合运形成基极E流I，漂移运形成集极流I。BC

?流分配：I＝I＋IEI－散运形成的流BCIEB－复合运形成的流IC－漂移运形成的流交流流放大系数直流流放大系数穿透流集反向流

三、晶体管的共射入特性和出特性1.入特性什么像PN的伏安特性？什么U增大曲右移？CE什么U增大到一定曲CE右移就不明了？于小功率晶体管，U大于1V的一条入特性曲CE可以取代U大于1V的所有入特性曲。CE

2.出特性于一个I就有一条i随u化的曲。BCCE和区什么u小i随u化很大？什么入放大状曲几乎是横的平行？CECCE放大区截止区画演示

晶体管的三个工作区域状uBEiCuCE截止放大和＜UonICEOVCC≥Uon≥Uon≥uBEβiB＜βiB≤uBE晶体管工作在放大状，出回路的流i几乎C决定于入回路的流i，即可将出回路等效流iBB控制的流源i。C

和区：q出特性曲的陡直部分是和区。qI的化I的影响小。BCqU＜U，射和集均于正向偏置。CEBE放大区：q出特性曲的近于水平部分是放大区。qI＝I×β放大区也称性区。CBq射必正向偏置，集反向偏置。截止区：qI＝0的曲以下的区域称截止区。BqNPN硅管使三极管可靠截止，常使U≤0V。BEq射和集均于反向偏置。

BJT的使用常国BJT的型号命名方法按国家准（GB249-74）定

四、主要参数?直流参数：、、I、CBOICEO?交流参数：β、α、f（使β＝1的信号T率）?极限参数：I、P、（BR）CEOCMCMU最大集极流c-e穿最大集极耗散功率，P＝iuCMCCE安全工作区

1.流放大倍数和?前面的路中，三极管的射极是入出的公共点，称共射接法，相地有共基、共集接法。共射直流流放大倍数：工作于的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极流的化量?I，相的集极流化?I，交流流放C大倍数：B在以后的算中，一般作近似理：?=

2.集-基极反向截止流ICBOI是集CBO反偏ICBO由少子的漂移形成的反向流，受温度的化影响。?A

3.集-射极反向截止流ICEOI=?I+IICEO受温度影响很大，当温度上CEOBECBO集反C偏有ICBO升，I增加很快，所以I也相增加。三极管的温度特性差。CEOICBO?IBECNPBIBEN根据放大关系，由于I的存在，必有流EI入NCBO区，形成BEI。?I。BEBE

4.集极最大流ICM集极流I上升会致三极管的?的下降，C当?下降到正常的三分之二的集极流即I。（U=1V）CMCE5.集-射极反向穿当集-射极之的U超一定的数，CE三极管就会被穿。手册上出的数是25?C、。基极开路的穿U(BR)CEO

6.集极最大允功耗PCMIC安全工作区?集极流I流三极管，所出的焦耳：CICMIU=PCCECMP=IUCCCE?必定致温上升，所以PC有限制。P?PUCECU(BR)CEOCM

五、温度晶体管特性的影响

小?1、三极管的三个区域的构度不同，是三极管具有流放大作用的内部条件；其外部条件是射正偏集极反偏。?2、晶体管工作在不同状，其外部特征是：放大状：射正偏，集反偏。截止状：射零偏或反偏，集反偏。和状：反射正偏，集正偏。3、使用晶体管，不能超其极限参数。在放大状，一般取4、温度晶体管的参数和特性有很大的影响。

特殊三极管1光三极管将光信号光流信号半体器件，并且能把光流放大，又称光敏三极管。C(+)e(-)无光照：I=I=（1+β）CBOCCEO流大有光照：I=（1+β）CLI

2光耦合器件光+-入信号光流出

光耦合器成的算机接口路示意入感路工系算机系行机构出

效管

效管本要点：1、效管的型和构2、