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2024-07-02 发布于山西
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第三讲半导体中载流子的统计分布

热平衡状态和热平衡载流子

跃迁

施主能级导带(电子)

本征激发——热激发杂质电离激发

导带电子和空穴价带受主能级（空穴）

跃迁

低能量的量子态高能量的量子态

产生复合

热平衡状态

热平衡载流子

3.1状态密度

1.状态密度

能量E附近每单位能

量间隔内的量子态数

g(E)

可以通过下述步骤计算状态密度：

1.算出单位k空间中的量子态数，即k空间中的量子态密度；

2.计算能量为E的等能面在k空间所围成的体积，再乘以k空间的量子

态密度，得到Z(E)--k空间的量子态数；

3.按定义g(E)=dZ/dE，求出g(E)。

2.k空间中量子态的分布

在k空间波矢k的取值为

2πnx

kx(nx0,1,2,)



L

2πny

ky(ny0,1,2,)

L

3332πn

8π/L8π/Vkzz(nz0,1,2,)



L

电子的一个允许能量状态

即k空间电子的允许能量状态密度是V/8π，若考虑自旋，应为2V/8π。

3.导带底附近状态密度

2k2+k2k2

E(k)Ec=+12+3

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