PCM测试原理及方法简介final.docx

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WuxiCSMC-HJSemiconductorCo.,Ltd.

无锡华晶上华半导体

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PCM测试原理及方法简介

PCM即ProcessControlMonitor(工艺掌握监控)的缩写。从名称上我们可以看出PCM测试的根本作用即通过电参数对工艺掌握起到监控作用，同时它也是反映产品质量的一种手段。PCM作为一个技术支持部门，主要把线上一些工艺特别进展准时的反映出来，在产品入库前对其进展最终一道质量的检验，其作用归纳起来，有如下几点：

对产品进展参数质量检验；

通过PCM测试，猎取线上特别信息；

为线上的工艺试验提取参数信息；

进展客户反响产品失效缘由分析；

数据统计分析工作；

PCM测试在划片槽内有特地的测试图形，它们是与芯片内的图形同时完成的，因此它可以有效而准确的反映工艺状况。但是由于图形本身与电路中管芯并不完全一样，实际状况可能比PCM图形简单。因此圆片在PCM测试完成以后还需要进展中测即成品率测试以反映芯片的功能。在这里我们只就PCM参数测试从以下四方面进展简要介绍。

一．PCM测试原理及测试系统二．PCM常见参数测试方法三．PCM常见参数描述

一．PCM测试原理及测试系统

简洁的说PCM测试就是在被测器件上施加的肯定大小和方向的电流或电压，然后监控被测器件的电压或电流状况来反映被测器件的电学特性来到达监控工艺状况和产品质量的目的。这一过程是通过一套完整的测试系统来完成的。

PCM测试系统包括掌握终端，测试仪，测试头，开关矩阵，探针台和HP-IBCABLE

构成。系统(以HP4062为例)连线如以下图所示：

SWC

SWC

ControlCable

(SwitchingMatrixController)

HP-IBCable

CMUCable

SMS

CMU

(SwitchingMatrixSubsystem)

HP-IBCable

DCS

AUXCable

(DCSubsystem)

HP-IBControlledWaferProber

HP-IBCable

HostComputer

HP9000

Series300Computer

HP-IBCable

Wafer

测试过程：

计算机掌握终端依据我们的要求发出指令〔测试程序〕掌握测试仪和探针台进展动作〔例

如施加电压〕。测试仪中的SMU单元〔SourceMonitorUnit，在DCS中〕将电压通过AUXCable加至测试头上的开关矩阵〔SWM〕，开关矩阵再通过探针的接触将电压加到了被测器件上，SMU单元再依据程序的要求量出所需要的结果〔例如电流值〕，并将这一结果返回计算机内保存，也可以显示在计算机屏幕上。以此类推，假设我们要测量电容，则是掌握测试仪中CMU〔电容仪〕进展测量。

二．PCM常见参数测试方法

目前PCM测试的主要参数项包括：

开启电压〔NXSTRW/PXSTRW〕

击穿电压〔NXSTRW/PXSTRW〕

导通电流〔NXSTRW/PXSTRW〕

单管漏电流〔NXSTRW/PXSTRW〕

方块电阻〔NPLUS/PPLUS/TUBS/PGT/M1LSVDP/M2LSVDP〕

接触电阻〔NPLUS/PPLUS/PGT/GT〕

条形电阻〔RESNW/RESPW/RESGT〕

电容及电容击穿〔CAPNP/CAPPC/TDDB〕

同时为了满足不同工艺试验要求，我们还会测试一些特别的参数，例如：

COMB漏电测试〔ALLIN3BL/ALLIN3BR〕

M1/M2Ratio〔ALLIN3BL/ALLIN3BR〕

有效沟长 〔NXSTRW2/PXSTRW2〕

MOSTransistor

开启电压：简洁的来说“开启”就是在栅上加电压使硅外表反型，然后在漏上加肯定电压，使源漏之间有电流通过的过程。我们通常用的方法是最大跨导法。测试时在漏上固定一个电压，扫描栅上电压，找到最大跨导〔栅电压的变化对应漏源电流的变化〕点。沿最大跨导点做一漏电流曲线的切线，切线与栅电压的交点为Vintercept,Vth=Vintercept-1/2Vd。如以下图所示：

Ids

Vg-Ids曲线

Vintercept Vg

图1

在线性区：Ids=β[(Vgs-Vth)Vds–Vds^2/2