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2024-2030年全球与中国氮化镓TR组件市场前景洞察及投资布局分析报告

2023年全球氮化镓TR组件市场销售额达到了0.1亿美元，预计2030年将达到0.4亿美元，年复合增长率（CAGR）为13.7%（2024-2030）。地区层面来看，中国市场在过去几年变化较快，2023年市场规模为百万美元，约占全球的%，预计2030年将达到百万美元，届时全球占比将达到%。

目前，氮化镓已经拥有了足够广阔的应用空间。作为第三代半导体新技术，也是全球各国争相角逐的市场，并且市面上已经形成了多股氮化镓代表势力，氮化镓的市场接受度和行业景气度正在不断攀升，技术革新也在不断推进。

同时，随着5G通信生态、AIGC、云计算、大数据等新兴技术的快速发展，高速、高效、高能的半导体器件需求将日益增加，氮化镓器件作为重要的功率和射频器件，将具备广阔的发展前景。同时，随着新基建、新能源、新消费等领域的持续推进，氮化镓器件将在太阳能逆变器、风力发电、新能源汽车等方面得到广泛应用。

因此，伴随5G通信和消费电子业务的确定性增长、新能源赛道与数据中心的集中爆发，未来3-5年氮化镓器件将在5G通信基站、高功率电源、新能源汽车、数据中心等领域出现较快增长。

可以说，氮化镓在性能、效率、能耗、尺寸等方面较市场主流的硅功率器件均有显著数量级的提升，但其发展也面临着许多问题。一方面，氮化镓是自然界没有的物质，完全要靠人工合成。氮化镓没有液态，因此不能使用单晶硅生产工艺的直拉法拉出单晶，纯靠气体反应合成。另一方面，由于反应时间长，速度慢，反应副产物多，设备要求苛刻，技术异常复杂，产能极低，导致氮化镓单晶材料极其难得。但是目前来看，缺点在于产品成本很高，不利于大批量生产。

期待氮化镓产业快速增长的同时，要想氮化镓产能提升、成本控制并形成完全产业链，所面对的挑战也不容小觑。目前，我国多个科研团队已经开始着手攻克相关难题，期待我国凭借氮化镓等材料技术优势，早日实现第三代半导体真正自主可控。

氮化镓（GaN）T/R组件能实现更大的功率，是未来的发展趋势。伴随着第一代硅(Si)、第二代砷化镓(GaAs)器件的成熟应用，高密度集成的多芯片组件(mulitichipmodule，MCM)封装模块，已成为现阶段有源相控阵的主流技术方案。而新一代武器装备对核心器件的高功率、高效率、小型化和高击穿电压特性提出了新的需求，已成熟使用的GaAs器件无法满足数倍增长的功率密度需求。随着第三代半导体材料氮化镓(GaN)技术逐步趋于成熟，其在高能量带隙、高击穿场强、高射频密度、宽带、高偏压、高热导性等方面的优势逐步明显，可提供的功率密度比GaAs器件高十倍。因此，采用GaN器件的T/R组件将实现更大的输出功率、更高的效率和宽带性能优势，已在有源相控阵的T/R组件中获得应用。

本报告研究全球与中国市场氮化镓TR组件的产能、产量、销量、销售额、价格及未来趋势。重点分析全球与中国市场的主要厂商产品特点、产品规格、价格、销量、销售收入及全球和中国市场主要生产商的市场份额。历史数据为2019至2023年，预测数据为2024至2030年。

主要厂商包括：

RFHICCorporation

Qorvo

国博电子

中电科13所

铖昌科技

按照不同产品类型，包括如下几个类别：

C-band

S-band

X-band

按照不同应用，主要包括如下几个方面：

军用雷达

商用雷达

重点关注如下几个地区:

北美

欧洲

中国

随着科技的不断进步，氮化镓（GaN）技术以其独特的优势，正在逐步改变功率半导体市场的格局。据全球知名专业咨询公司弗若斯特沙利文的报告，氮化镓功率半导体市场预计在2023年至2028年间将迎来指数级增长，市场规模将从人民币18亿元增长至501.4亿元，其占全球功率半导体市场的比例也将显著提升。在这一浪潮中，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称：英诺赛科）凭借强大的研发实力和创新能力，成为氮化镓产业中的佼佼者。

本文正文共10章，各章节主要内容如下：

第1章：报告统计范围、产品细分及主要的下游市场，行业背景、发展历史、现状及趋势等

第2章：全球总体规模（产能、产量、销量、需求量、销售收入等数据，2019-2030年）

第3章：全球范围内氮化镓TR组件主要厂商竞争分析，主要包括氮化镓TR组件产能、产量、销量、收入、市场份额、价格、产地及行业集中度分析

第4章：全球氮化镓TR组件主要地区分析，包括销量、销售收入等

第5章：全球氮化镓TR组件主要厂商基本情况介绍，包括公司简介、氮化镓TR组件产品型号、销量、收入、价格及最新动态等

第6章：全球不同产品类型氮化镓TR组件销量、