非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 编制说明.docx

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《非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法》编制说明（征求意见稿）

一、工作简况

1.立项目的和意义

非本征半导体硅主要用来制作高纯半导体、耐高温材料、光导纤维通信材料、有机硅化合物、合金等，被广泛应用于航空航天、电子电气、建筑、运输、能源、化工、纺织、食品、轻工、医疗、农业等行业。单晶硅是重要的半导体材料，可制成二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路（包括人们计算机内的芯片和CPU），还可以做成太阳能光伏电池，将辐射能转变为电能。锗单晶是一种用途广泛的半导体材料，主要应用于电子工业中，例如制作锗晶体管，它具有快速的开关速度和线性增益，可用于高频电路、射频电路、测量电路、放大器等领域。此外，锗单晶还可以制成高电导的锗电阻器、锗稳压器等电子元器件。锗单晶的高红外透明度和独特的物理性质，使它在光电子学中具有重要的应用价值。例如，锗单晶可以制成高速光探测器、光伏器件、光电二极管、红外探测器等。同时，锗单晶还可以被用于制作半导体激光器，用于通信和材料加工等领域。锗单晶具有良好的红外透过性，可以用于制作红外滤光片等光学元件。同时，锗单晶的红外辐射特性也被用于红外成像、红外测温、生物医学检测、安防监控等领域。砷化镓(GaAs)在电子和光电子领域展现出独特的性能优势。GaAs工艺的独特性在于其高电子迁移率、直接带隙结构以及良好的耐高温性能,这些特性使得GaAs在高速电子器件、微波器件以及高功率应用中具有显著的优势。

目前现行的GB/T4326—2006《非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法》主要存在以下问题：1、原标准中的非本征半导体材料种类较少，只有硅、锗、砷化镓，随着半导体产业的蓬勃发展，越来越多的半导体材料被人们发现，并取得了广泛应用。如磷化铟材料，磷化铟具有饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高、禁带宽度宽等诸多优点，可用于制备生产射频器件、光模块、LED、激光器、探测器、传感器、太空太阳能电池等器件，被广泛应用在5G通信、数据中心、新一代显示、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备、航天等领域。国内磷化铟单晶的制备技术发展迅猛，已经实现小批量生产。北京通美2020年全球磷化铟衬底市场份额占比达到36%，位居第二。但国内但一直没有产品标准和测试标准。2、高纯锗单晶材料同样适用于本标准，高纯锗单晶具有相对小的禁带宽度、相对高的原子序数、易获得较大尺寸等特性，高纯锗探测器具有优越的能量分辨率、较高的探测效率、较宽的能量测量范围、极低的内部放射性水平等优点。高纯锗探测器在粒子物理、天体物理、核物理，以及核电安全，辐射环境监测等领域有着

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极为广泛的应用。受制于当前国内尚无成熟的高纯锗单晶制备工艺以及生产能力，目前我国所需高纯锗单晶及探测器全部源自于海外进口，美国公司奥泰克（Ortec）及堪培拉（Camberra）为当前全球市场主要的高纯锗探测器生产商及供应商。高纯锗单晶研制技术被国外垄断，高纯锗单晶急需实现进口替代。近几年，为打破国外技术封锁，国内高纯单晶的制备技术发展迅猛，相继取得重要突破，即将实现量产。同样面临国内没有相关产品标准和测试标准的问题。锑化镓、锑化铟、硫化镉、氧化镓等先进半导体材料也存在无标准可依的情况。

2.任务来源

根据《国家标准化管理委员会关于下达2023年国家标准复审修订计划的通知》（国标委发[2023]64号）的要求，由有研国晶辉新材料有限公司牵头修订国家标准《非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法》，计划编号T-610，要求于2025年4月完成。

3.标准主编单位简况

主编单位研国晶辉新材料有限公司是中央企业有研科技集团（原北京有色金属研究总院）下属单位，是我国锗材料的技术发源地，是“集成电路关键材料国家工程研究中心”支撑单位，是“国家高新技术企业”和“国家专精特新小巨人企业”。有研国晶辉依托北京有色金属研究总院的雄厚实力，成功研制出我国第一粒金属锗、第一根13N高纯锗单晶、第一根大直径红外锗单晶、第一根水平GaAs单晶，以及液封直拉GaP单晶、第一条光纤级四氯化锗生产示范线、第一根太阳电池用低位错锗单晶，是国内最早研制硫系玻璃、CVDZnS、CVDZnSe等新型光电材料的单位，具有超强的研究实力和保障能力。1964年建成国内第一条锗单晶生产线，六十多年来研制成功多种用途的锗单晶，满足了军工部门的使用要求。

在上世纪70年代，北京有色金属研究总院就已经深入研究了锗锭区熔提纯和高纯锗单晶的制备技术，并取得以下成果：在国内率先研制出直径为30mm左右，位错密度小