【英/法语版】国际标准 IEC 60747-9:2007 EN-FR 半导体器件-分立器件-第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs).pdf

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IEC60747-9:2007标准是关于半导体器件的标准，它涵盖了半导体设备中的各种类型，包括二极管、晶体管、集成电路等。这个标准主要关注这些器件的设计、制造、性能、安全性和可靠性等方面。

在IEC60747-9:2007标准中，Part9专门针对绝缘栅双极型晶体管（IGBT）进行了规定。IGBT是一种重要的功率半导体器件，广泛应用于电力电子领域，如变频器、电机驱动、电源转换等。

具体来说，IEC60747-9:2007Part9标准对IGBT的电气性能、热性能、机械性能、可靠性、安全保护等方面进行了详细的规定。它要求IGBT的电气参数必须符合规定，包括电压、电流、功率等指标。同时，标准还对IGBT的制造过程进行了规范，以确保其质量和性能的一致性。

IEC60747-9:2007Part9标准还对IGBT的安全性进行了重点考虑。它要求IGBT必须具备过温保护、短路保护等安全功能，以防止设备过热或短路等危险情况的发生。同时，标准还对IGBT的安装、使用、维护等方面进行了规定，以确保用户能够正确使用和保养IGBT。

IEC60747-9:2007Part9标准是关于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的重要标准，它规定了IGBT的设计、制造、性能、安全性和可靠性等方面的要求，以确保其质量和性能的一致性，并为用户提供安全保障。