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第一章《半导体器件的基础知识》
一、填空：
1、半导体的导电能力随着（掺入杂质）、（光照）、（温度）和（输入电压和电流的改变）
条件的不同而发生很大的变化，其中，提高半导体导电能力最有效的办法是（掺入杂
质）。
2、（纯净的半导体）叫本征半导体。
、半导体可分为（）型半导体和（）型半导体，前者空穴是多子，（电）
3PN()
是少子。
、结加（正向电压）时导通，加（反向电压）时截止，这种特称为（单向导电）。
4PN
、结的反向击穿可分为（电）击穿和（热）击穿，当发生（热）击穿时，反向电压撤
5PN
除后，结不能恢复单向导电。
PN
6、由于管芯结构的不同，二极管可分为（点）接触型、（面）接触型、（平面）接触型三
种，其中（点）接触型的二极管结面积（小），适宜半导体在高频检波电路和开关
PN
电路，也可以作小电流整流，面接触型和平面型二极管结接触面（大），载流量（大），
PN
适于在（大电流）电路中使用。
7、二极管的两个主要参数是（最大整流电流）和（最高反向电压）使用时不能超过，否
则会损坏二极管。
8、在一定的范围内，反向漏电流与反加的反向电压（无关），但随着温度的上升而（上升），
反向饱和电流越大，管子的能就越（差）。
、硅二极管的死区电压为（、），锗二极管的死区电压为（、）。
905V02V
10、三极管起放大作用的外部条件（发射结正偏）和（集电结反偏）
11、晶体三极管具有电流放大作用的实质是利用（基极）电流实现对（集电极）电流的控
。
、表示（型硅材料高频小功率三极管）；
123DG8DNPN
表示（型锗材料低频小功率三极管）。
3AX31EPNP
13、三极管的恒流特表现在（放大）区，在饱和区，三极管失去（放大）作用，集电
结、发射结均（正）偏。
集射击穿电压是指（基极开路）时集电极和发射极间所承受的最大反向电
14V（）
BRCEO
压，使用时，集电极电源电压应（＞）这个数值。
15三极管的三种基本联结方式可分为（共基极电路），（共集电极电路）和（共发射极电
1
路）。
16、温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将（左移），输出特性曲线将（上移），而且
输出特性曲线之间的间隔将（变宽）。
17、晶体三极管三个极限参数分别为（集电极最大允许电流）、（极间反向击穿电压）、和
（耗散功率）。
、硅管的饱和压降为（、），锗管饱和压降为（、）。
1803V01V
19、半导体中，自由电带（负）电，空穴带（正）电。
20、晶体管的穿透电流ICEO随温度的升高而（增大），由于硅晶体管的穿透电流比锗晶体
管（小），所以硅晶体管的（热稳定性）比锗晶体管好。
、场效应管从结构上分为（结型）和（绝缘栅型）两大类，因导电类型的不同可分为（
21N
沟道）和（沟道）两大类。它们的导电能力仅取决于（一种）载流，所以场效应
P
管又称为单极型三极管。
、沟道增强型的开启电压一定是（正）值。
22NVT
23、场效应管是利用（输入电压）来影响导电沟
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