【英语版】国际标准 ISO 8181:2023 EN 原子层沉积 词汇表 Atomic layer deposition — Vocabulary.pdf

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【英语版】国际标准 ISO 8181:2023 EN 原子层沉积 词汇表 Atomic layer deposition — Vocabulary.pdf

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ISO8181:2023ENAtomiclayerdeposition—Vocabulary是关于原子层沉积(ALD)的词汇的标准。以下是标准的详细解释:

原子层沉积(AtomicLayerDeposition,简称ALD)是一种薄膜制备技术,其基本原理是使用反应性气体通过一层催化剂(通常是硅烷或硼烷等)在衬底表面进行循环沉积,形成单层薄膜。它是一种精确控制薄膜厚度的方法,可以用于制造高性能电子器件、催化剂、生物医学材料等。

标准中包含以下词汇的详细解释:

***原子层沉积(AtomicLayerDeposition,ALD)**:原子层沉积是一种薄膜制备技术,通过周期性暴露和移除反应性气体分子来在基底表面形成单层薄膜。它具有高厚度精度、高均匀性和高表面质量等特点。

***催化剂**:催化剂是一种物质,当它与反应性气体接触时,可以促进化学反应在基底表面进行。原子层沉积中常用的催化剂有硅烷和硼烷等。

***反应性气体**:反应性气体是与原子层沉积反应相关的气体分子。在ALD中,通常使用具有特定化学键合的分子作为反应性气体。

***周期性**:原子层沉积中的周期性是指每次循环暴露和移除反应性气体的过程。这个过程通常由一个周期性的脉冲信号控制。

***薄膜**:薄膜是指在基底表面形成的连续材料层,通常具有特定的厚度和组成。在原子层沉积中,薄膜的厚度通常在几个原子层到几百个原子层之间。

***衬底**:衬底是指被覆盖薄膜的材料基底。在原子层沉积中,常见的衬底材料包括金属、半导体和陶瓷等。

***高性能电子器件**:高性能电子器件是指使用原子层沉积技术制造的电子设备,具有高速度、低功耗和高集成度等特点。

***生物医学材料**:生物医学材料是指用于医疗和生物工程领域的材料,可以使用原子层沉积技术制备具有特殊性能的薄膜,如生物相容性、药物传递和温度控制等。

以上是对ISO8181:2023ENAtomiclayerdeposition—Vocabulary的详细解释。

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