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带隙基准源研究现状与发展前景综述

摘要：带隙基准源（BandgapReference），又称能隙基准源。由于其具有优异的温度稳定性，常用于高精度的电压参考。基准电压源是集成电路中一个重要的单元模块。它的温度稳定性以及抗噪声能力影响到整个系统的精度和性能。近年来，芯片系统集成（SOC）技术已经受到学术界及工业界广泛关注。随着电路系统结构的进一步复杂化，对模拟电路基本模块提出了更高精度及速度的要求。而带隙基准源相较于传统基准源有诸多优点，应用广泛，研究价值大，发展前景良好。

关键词：带隙基准源；集成电路；芯片系统集成；高精度

1、引言

输出不随温度、电源电压变化的基准源在模拟和混合集成电路中应用非常广泛,例如数据转换电路与稳压电路[1]。在集成电路中,有三种常用的基准源:掩埋齐纳(Zener)基准源、XFET基准源和带隙(Bandgap)基准源[2]。

随着片上系统(SOC)的迅速发展,系统要求模拟集成模块能够兼容标准CMOS工艺,在SOC上,数字集成模块的噪声容易通过电源和地耦合到模拟集成模块,这要求模拟集成模块的PSRR非常高。同时,由于移动电子设备的逐渐增多,要求模拟集成电路的电源电压能够降至1V左右,功耗在μW量级上[3]。所以,尽管掩埋齐纳基准源和XFET基准源的输出温度稳定性非常好,但是它们的制造流程都不能兼容标准CMOS工艺,并且掩埋齐纳基准源的输出电压一般大于5