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第二单元

集成电路晶圆测试基础

第二单元集成电路晶圆测试基础

1.硅片

2.晶圆

3.晶圆测试项目

4.晶圆测试设备

5.晶圆测试操作

1.硅片

制备集成电路芯片的晶圆片,其衬底材料主要为硅片,

其纯度为99999%,简称“九个9”。

硅片制备与检测

1.硅片

硅片几何尺寸

圆形薄片,边缘有定位边或定位槽。

a)P型(11)b)P型(10)c)N型(100)d)N型(11l

1.硅片

刪测m-

直径(mm)厚度(pm)面积(cm2)质量(g)

100(4)

525±25

78.54

9.65

125(5

625±25

122.72

150(6)

675±20

176.71

200(8”)

725±20

314.16

53.08

300(12

775±20

127.64

450(18″)?

1.硅片

加工工艺流程

1.硅片

基本检测项目

硅片的主要质量要求

器件特征尺寸(pm)

0.3

0.25

硅片直径(mm

位平整度(mm)02(2×2117(26×32)012(26×3208(26×3

正面微粗糙度(nm

015

单位面积体微缺陷数(个/m

≤5000

氧含量(10-6

≤(24±2)

≤(23±1.5)|≤(22:15

单位面积颗粒数(个/cm2)

0.3

外延层厚度/均匀性(pm/±

3.0/士5%

%

1,4/士2%

1.0/±2%

掺杂浓度(个/m3)

掺杂类型

10

1014~10l

P型

P

P

N型

1.硅片

商用硅片举例一

Remark

Isinglecrystalsilicon.

lo-cmASTMI84

ASTMFBISaplingPlanB

oRientation

lASTMF613

tioa0±10

degrecASTMI847,SEMIM1

SecondaryFlat

Carbonconcentration

1.硅片

Resistiityuaiformity

FlatnessGlobal(GFLR)

tienEtchPitDensity(EP

Depositedpolysilicon

8+/-0.15um-Depositedaxic

2mmclearancefromedge

xx区

1.硅片

Remark

urfaceDefect

slp.orangepeel,cack,swatch,bare.I

SEMIMITabl

edgechp,cratergroovemound

wmarkLineage.crowsfeetprs

62BackSurfaceDefect

SEMIM1Table

Sodiun00E+11

SLS

lionLimits

SDMSVPD/(MASICP-MSarIMRE

LMS,VPD(AASICP-MS.TXRF)

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