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第二单元
集成电路晶圆测试基础
第二单元集成电路晶圆测试基础
1.硅片
2.晶圆
3.晶圆测试项目
4.晶圆测试设备
5.晶圆测试操作
1.硅片
制备集成电路芯片的晶圆片,其衬底材料主要为硅片,
其纯度为99999%,简称“九个9”。
硅片制备与检测
1.硅片
硅片几何尺寸
圆形薄片,边缘有定位边或定位槽。
a)P型(11)b)P型(10)c)N型(100)d)N型(11l
1.硅片
刪测m-
直径(mm)厚度(pm)面积(cm2)质量(g)
100(4)
525±25
78.54
9.65
125(5
625±25
122.72
150(6)
675±20
176.71
200(8”)
725±20
314.16
53.08
300(12
775±20
127.64
450(18″)?
1.硅片
加工工艺流程
1.硅片
基本检测项目
硅片的主要质量要求
器件特征尺寸(pm)
0.3
0.25
硅片直径(mm
位平整度(mm)02(2×2117(26×32)012(26×3208(26×3
正面微粗糙度(nm
015
单位面积体微缺陷数(个/m
≤5000
氧含量(10-6
≤(24±2)
≤(23±1.5)|≤(22:15
单位面积颗粒数(个/cm2)
0.3
外延层厚度/均匀性(pm/±
3.0/士5%
%
1,4/士2%
1.0/±2%
掺杂浓度(个/m3)
掺杂类型
10
1014~10l
P型
P
P
N型
1.硅片
商用硅片举例一
Remark
Isinglecrystalsilicon.
lo-cmASTMI84
ASTMFBISaplingPlanB
oRientation
lASTMF613
tioa0±10
degrecASTMI847,SEMIM1
SecondaryFlat
Carbonconcentration
1.硅片
Resistiityuaiformity
FlatnessGlobal(GFLR)
tienEtchPitDensity(EP
Depositedpolysilicon
8+/-0.15um-Depositedaxic
2mmclearancefromedge
xx区
1.硅片
Remark
urfaceDefect
slp.orangepeel,cack,swatch,bare.I
SEMIMITabl
edgechp,cratergroovemound
wmarkLineage.crowsfeetprs
62BackSurfaceDefect
SEMIM1Table
Sodiun00E+11
SLS
lionLimits
SDMSVPD/(MASICP-MSarIMRE
LMS,VPD(AASICP-MS.TXRF)
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