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双管正激电源，这些问题点不容忽视！

希望可以帮到更多的电源工程师，少走弯路，由于工作很忙，回复会滞后，我会抽时间回复大家提出的问题，只要能帮到各位，就是对我最大的安慰。

Zhangyanhong：

第一次做单管正激，请教下电源老化一段时间后DS波形怎么会变这样子呢？

楼主：

MOS关断后，电压上升，达到一定的电压值（最大限幅值被母线电压限制），然后应该是比较圆滑的波形，溜肩膀（溜肩膀根据负载的轻重波形会有差异，它自己会找一个合适的复位点下来）后，下来。

你这个波形基本是正确的，只是在MOS管关断后，在达到最高电压的时候有震荡，去查查复位这块。

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当年我用双管正激做过一款500W的电源。低压大电流的。选这个结构是因为这种结构有个先天性优势就是，永远不会像半桥全桥那样出现上下管同态导通就炸机的风险。本人认为，如果是一些需要可靠性很高的电源，我觉得双管正激非常不错。选这个拓扑来做，也是想试试我没有做的拓扑。

另外就是，所有的电源结构的MOS波形，我最喜欢看的就是正激的那个带着馒头一样波形。

我来听听楼主对正激结构的一些宝贵经验。学习学习！

楼主：

你说的很对，双管正激最大的特点就是不会“炸鸡”，我一般100W-500W都用双管正激拓扑，而不用推挽半桥这类的，当然他们也有他们的特殊场合以及用途（LLC拓扑暂且不再本帖子内涉及）。

先上双管正激拓扑示意图：

今天抽点时间，讲一个正激电感和变压器的设计，这是正激拓扑电路里的“心脏”。

说明：此部分只是个例子，只为说明计算步骤等等，这个例子也不是双管正激的例子。大家不要在纠结最大占空比为啥0.6了！！！

正激变压器的设计，需要注意一点，需要计算最低输入和最高输入两次。

Gongchangsheng：

你好，楼主，有几个问题想请教一下：

第一张图上，因为放电电流等于充电电流，所以可以得到，Vo=Vs*D，对于这里我根据你说的来推导得出的是Vo=Vs*【D/（1-D）】，请问楼主我错在哪里了？我想不明白。

对于占空比D值，取0.6，这个值是根据什么取出来？为什么要取0.6？其他值可以吗？

对于输出电流纹波峰峰值，你说取输出电流的10%-50%，你取的是4.3A（4.3/24=18%），那如果取7.2A应该也是在这个范围内的吧？这个取值有什么方法经验吗？

以上是我的一点疑问，让大家见笑了。

楼主：

以电感为研究对象，电感开通关断两个阶段上升电流和下降电流是相等的，根据法拉第电磁感应定律来的共识V*T=L*I，对于开通的时候有（Vin-Vo）*Ton=L*I上升，关断的时候有Vo*Toff=L*I下降，由于I上升=I下降，所以有（Vin-Vo）*Ton=Vo*Toff进而推导出：Vin*Ton=Vo*（Ton+Toff）即：Vin*Ton=Vo*T所以Vo=Vin*【Ton/（Ton+Toff）】由于Ton+Toff=T??Ton/T=D，所以Vo=Vin*D。我不清楚你是如何推导的，得到的那个公式。

对于正激拓扑，一般建议D不大于0.5，否则复位不好弄，但是做好了只要能复位，取0.6也未尝不可，还得根据具体情况来定占空比的。初学者别大于0.5。

对于Ir的取值，多方面综合考虑到，比如你的电源尺寸要求小，那么你就取高一点，这样磁芯会小一些，省体积，如果体积没有太多限制，同时要求连续临界电流低，那你就取小一点，等等吧。

Gongchangsheng：

谢谢楼主的耐心解释，我现在我明白了我错在哪里了，是在电流上升过程中，电感中的电压没有减去输出电压Vo的值，就是把正激当反激来算了。

Wayhe：

正好有几个关于双管正激的接法疑问想请教，有经验的高手请多多赐教：

双管正激输出电感接正极端和负极端各有什么优劣？

输出整流和续流二极管，目前大部分是采用共阴双二极管TO220或TO247封装，如果用到2颗并联时，a是单封装内并联使用，还是b单封装内一个做整流、一个做续流（第2颗同样），两种接法那种更有优势？及各自的优劣。

输出电感接负端时Y电容该怎么跨接合理？

功率MOS和输出整流、续流二极管可否共用一个散热片？及散热片怎么处理干扰问题？

如果让你选择大铜皮带高频变化信号和散热片带高频变化信号你会选择哪个？为什么？

双管正激主电源和辅助电源共用EMI和滤波电路和滤波电路好还是分开好？双管正激主电源和辅助电源之间干扰互串怎么处理比较好？

楼主：

简单回复如下：

接负极端比接正极端好，好处是EMI会小一些，可以分析整流续流两个阶段，接负极端会比接正激端少一个干扰“热端”。具体自己画波形分析，在这不一一细讲。

无论是一个管子对二极管中一个为整流，另一个作为续流，还是用两个管子，一个为整流一个为续流，最最主要的就是看你的功率做多大了，小功率的完全是前者，大功率由于器件本身的限制，只