【英语版】国际标准 IEC 62951-9:2022 EN 半导体器件——柔性及可拉伸半导体器件——第9部分:一种晶体管和一只电阻器(1T1R)阻性存储器单元的性能测试方法 Semiconductor devices - Flexible and stretchable semiconductor devices - Part 9: Performance testing methods of one transistor and one resistor (1T1R) resistive me.pdf

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  •   |  2022-12-14 颁布

【英语版】国际标准 IEC 62951-9:2022 EN 半导体器件——柔性及可拉伸半导体器件——第9部分:一种晶体管和一只电阻器(1T1R)阻性存储器单元的性能测试方法 Semiconductor devices - Flexible and stretchable semiconductor devices - Part 9: Performance testing methods of one transistor and one resistor (1T1R) resistive me.pdf

IEC62951-9:2022ENSemiconductordevices-Flexibleandstretchablesemiconductordevices-Part9:Performancetestingmethodsofonetransistorandoneresistor(1T1R)resistivememorycells是一份国际电工委员会(IEC)发布的关于柔性及可拉伸半导体器件的标准,具体内容如下:

该标准规定了电阻式存储器(如ReRAM)的1T1R(一个晶体管和一个电阻器)单元的性能测试方法。

该标准详细描述了以下测试方法:

1.初始和最终检查:检查器件的外观和尺寸,确保其符合规格。

2.电气特性测试:测量电阻器(R)的电阻值,以及晶体管(T)的阈值电压或导通电压等电气特性。

3.存储特性测试:通过反复改变晶体管的电状态来测试存储单元的存储特性,即非易失性存储。

4.读写特性测试:测试电阻器(R)的阻值变化,以及晶体管的阈值电压或导通电压变化,以确定存储单元的读写特性。

5.耐久性测试:对存储单元进行反复读写操作,以测试其耐用性。

6.数据保持测试:测试存储单元在长时间未操作后的数据保持能力。

7.数据恢复测试:在已知条件下对存储单元进行更改数据,并测试其是否能正确恢复原始数据。

以上标准主要适用于

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