异质结在光电子器件中的应用.pdfVIP

异质结在光电子器件中的应用

在实际的光电子器件中，往往包含一个或多个异质结。这是因为异质结是由

具有不同的电学性质和光学性质的半导体组成的，还可以通过适当的晶体生长技

术控制异质结势垒的性状，因此异质结在扩大光电子器件的使用范围，提高光电

子器件性能，控制某些特殊用途的器件等方面起到了突出的作用。在光纤通信、

光信息处理等方面的具体应用如下：

1异质结光电二极管

光电二极管是利用光生伏打效应工作的器件，工作时要加上反向偏压，

光照使结的空间电荷区和扩散区内产生大量的非平和载流子，这些非平衡

载流子被内建电场和反向偏压电场漂移，就会形成很大的光电流。其工作

特性曲线如下图所示：

I/mA

10

5

0

IV

/V

0

I(G)

11

I(G)

22

I(G)

33

IGG

321

图2.1光电二极管的工作特性曲线

光电二极管往往作为光电探测器使用，此时希望它有宽的光谱响应范

围和高的光电转化率。在包含有异质结的光电二极管中，宽带隙半导体成

为窄带隙半导体的入射窗口，利用此窗口效应，可以使光电二极管的光谱

响应范围加宽。图2.2（a）画的是由宽带隙E和窄带隙E两种半导体组

g1g2

成的异质结，在入射光子能量满足EhvE的条件下，入射光就能透过

g1g2

半导体1而被半导体2吸收。显然，透过谱与吸收谱的曲线重叠部分是该

光电探测器的工作波段范围。图2.2（b）是同质结光电探测器响应的情况，

显然同质结的工作波段范围是很窄的。

入射光入射光

1212

EEE=E

g1g2g1g2

吸收系数吸收系数

透射系数透射系数

光子能量/ev光子能量/ev

（a）（b）

图2.2异质结光带二极管和同质结光电二极管的光谱特性

2异质结光电晶体管

图2.3分别是InP/InGaAs异质结光电晶体管的典型结构图和能带图。

发射区由宽禁带的n型InP