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异质结在光电子器件中的应用
在实际的光电子器件中,往往包含一个或多个异质结。这是因为异质结是由
具有不同的电学性质和光学性质的半导体组成的,还可以通过适当的晶体生长技
术控制异质结势垒的性状,因此异质结在扩大光电子器件的使用范围,提高光电
子器件性能,控制某些特殊用途的器件等方面起到了突出的作用。在光纤通信、
光信息处理等方面的具体应用如下:
1异质结光电二极管
光电二极管是利用光生伏打效应工作的器件,工作时要加上反向偏压,
光照使结的空间电荷区和扩散区内产生大量的非平和载流子,这些非平衡
载流子被内建电场和反向偏压电场漂移,就会形成很大的光电流。其工作
特性曲线如下图所示:
I/mA
10
5
0
IV
/V
0
I(G)
11
I(G)
22
I(G)
33
IGG
321
图2.1光电二极管的工作特性曲线
光电二极管往往作为光电探测器使用,此时希望它有宽的光谱响应范
围和高的光电转化率。在包含有异质结的光电二极管中,宽带隙半导体成
为窄带隙半导体的入射窗口,利用此窗口效应,可以使光电二极管的光谱
响应范围加宽。图2.2(a)画的是由宽带隙E和窄带隙E两种半导体组
g1g2
成的异质结,在入射光子能量满足EhvE的条件下,入射光就能透过
g1g2
半导体1而被半导体2吸收。显然,透过谱与吸收谱的曲线重叠部分是该
光电探测器的工作波段范围。图2.2(b)是同质结光电探测器响应的情况,
显然同质结的工作波段范围是很窄的。
入射光入射光
1212
EEE=E
g1g2g1g2
吸收系数吸收系数
透射系数透射系数
光子能量/ev光子能量/ev
(a)(b)
图2.2异质结光带二极管和同质结光电二极管的光谱特性
2异质结光电晶体管
图2.3分别是InP/InGaAs异质结光电晶体管的典型结构图和能带图。
发射区由宽禁带的n型InP
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