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第四章

MOSFET及其放大电路一、场效应管静态工作点的设置方法根据场效应管工作在恒流区的条件，在g-s、d-s间加极性合适的电源1.基本共源放大电路4.2MOSFET的偏置电路2.分压式偏置电路为什么加Rg3?其数值应大些小些？即典型的Q点稳定电路[分析指南]MOSFET电路的直流分析求VGS，VGSVTN?假设工作在放大区ID=Kn(VGS-VTN)2假设工作在电阻区ID=Kn[2(VGS-VTN)VDS-VDS2]工作在截止区VDSVDS(sat)=VGS-VTN?成功失败VDSVDS(sat)=VGS-VTN?成功失败是否是是否否二、场效应管工作状态分析[例4.2]目的：计算N沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流和漏源电压。电路如4.8所示。设R1=30kΩ，R2=20kΩ，RD=20kΩ，VDD=5V，VTN=1V，Kn=0.1mA/V2。求ID和VDS。解：=×5=2VVTN假设场效应管处于放大状态，则：=0.1×(2-1)=0.1mA=5-0.1×20=3V因为2-1=1V,所以假设成立，即场效应管确实处于放大状态，上述分析是正确的。说明：如果不满足漏极电流的计算要采用公式：，则场效应管处于电阻区，[例4.3]目的：计算N沟道增强型MOSFET的栅源电压、漏源电流和漏源电压。电路如图4.9所示。场效应管的参数为VTN=1V，Kn=0.5mA/V2。求VGS、ID和VDS。RS的作用－稳定静态工作点图4.9带源极电阻的直流偏置电路假设场效应管处于放大区，则：即假设成立，场效应管处于放大区。另两种假设（电阻区或截止区）导致无解。解：由上两式可得：VGS=2.65V或VGS=-2.65V(舍去）ID=1.35mA第四章

MOSFET及其放大电路4.3MOSFET放大电路的交流电路单级MOSFET放大器的三种基本组态：共源极放大电路共漏极放大电路共栅极放大电路增强型负载4.3.1MOSFET放大电路的线性化分析原理图4.16MOSFET的转移特性图4.17共源极电路图4.18输入输出电压信号波形直流负载线临界饱和线vDS=vGS-VTN=vDS（sat）1．跨导gm设MOSFET工作于放大区4.3.2MOSFET放大电路线性化模型的交流参数若则=IDQ令则跨导也可以通过求微分得到:注：跨导gm与静态工作点有关。2.交流输出电阻rdsMOSFET工作于放大区时，漏极电流iD与漏源电压vDS无关?实际MOSFET的iD-vDS特性曲线在放大区的斜率不为零。当vDSvds(sat)时，出现沟道长度调制。类似于BJT的基区宽调效应。对N沟道增强型MOSFET，这种倾斜现象可以用下式校正：如何确定λ－沟道长度调制参数？所有曲线的反向延长线都与电压轴相交于vDS=-VA处，电压VA为正，它与双极型晶体管的Early电压相似。令iD=0可得λ＝1/VA。4.3.3MOSFET放大电路的交流小信号线性模型图4.20N沟道增强型MOSFET的放大区交流小信号线性模型[例4.9]目的：确定MOSFET的小信号电压增益。电路如图4.17所示。设VGSQ=2.12V，VDD=5V，RD=2.5kΩ。场效应管参数为VTN=1V，Kn=0.80mA/V，λ=0.02V-1。该场效应管工作于放大区。求AV=vo/vi。解题思路：求IDQ求交流参数gm和rDS画交流小信号等效电路求AV、Ri、Ro等解：=0.8×(2.12-1)=1.0mA=5-1×2.5=2.5V因此2.5V=2.12-1=1.12V场效应管确实工作于放大区。跨导＝2×0.8×(2.12-1)=1.79mA/V输出电阻K由图4.21可求得输出电压为∥由于，所以小信号电压增益为