SJ∕T 2658.14-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温.docxVIP

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备案号：

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T2658.14—2016

半导体红外发射二极管测量方法第14部分：结温

Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part14:Junctiontemperature

2016-01-15发布2016-06-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

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SJ/T2658.14—2016

前言

SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》的预计结构如下：——第1部分：总则；

——第2部分：正向电压；

——第3部分：反向电压和反向电流；——第4部分：总电容；

——第5部分：串联电阻；——第6部分：辐射功率——第7部分：辐射通量；——第8部分辐射强度；——第9部分：人辐射强度——第10部分：调制带圆——第11部分：响应时间

——第12部分：峰值发彩波带宽；

——第13部分：辐射功率温度系数；——第14部分：结温；

——第15部分：热阻；

——第16部分光电转换效率。

本部分为SJ/T2658的第14部分。

本部分依据GBXT11÷2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》的规定编写。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。

本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈赵英。

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SJ/T2658.14—2016

半导体红外发射二极管测量方法第14部分：结温

1范围

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)结温的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则SJ/T11394—2009半导体发光二极管测试方法

3一般要求

测量结温总的要求应符合SJ/T2658.1。

4测量方法

4.1测量原理

结温的测量原理见图1。本方法通过对被测器件施加不同电流，测量结电压增量和结温增量的关系，

从而确定结温。

说明：

DUT——被测器件；G?——电流源；

G?——电流源；

My——电压测量装置。

图1结温测量原理图

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4.2测量步骤

结温的测量按下列步骤进行：

a)按图1连接测量系统，并将开关置于位置1,给被测器件施加测量电流I,测量并记录此时的结电压Fi;

注：L值采用被测器件PN结伏安特性曲线转折点的电流。

b)将开关快速置于位置2,用加热电流I快速替代I,要求电流I在持续时间内稳定，观察此

时的正向电压;注：I值应大于I。

c)待Y稳定后，将开关快速置于位置1,即用测量电流I快速替代Ia,测量结电压V。

d)按SJ/T11394—2009中的方法5002测量K系数；

e)按公式(1)～公式(3)计算结温D

AVp=Vpi-Ypf ...(1)

△Tj=K×△V ................(2)

T=T;+△Ty ...............(3)

式中：

K——低正向电流时，PN结的温升与正向电压增量的相关系数，℃(mv;T器件的结温，

T测量开始前器能结混的初度℃。

注：I一般内被测器件加电前的环境温度。测量过程中的电流电压波形见图2。

Ia

图2测量结温的电流电压波形图

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4.3规定条件

有关标准采用本方法时，应规定以下条件：

a)环境或管壳温度；

b)测量电流五和加热电流I。

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