【英语版】国际标准 ISO 21859:2019 EN Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics) — Test method for plasma resistance of ceramic components in semiconductor manufacturing equipment 精密陶瓷(先进陶瓷、先进技术陶瓷) 半导体制造设备中陶瓷部件的抗等离子体性能测试方法.pdf

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【英语版】国际标准 ISO 21859:2019 EN Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics) — Test method for plasma resistance of ceramic components in semiconductor manufacturing equipment 精密陶瓷(先进陶瓷、先进技术陶瓷) 半导体制造设备中陶瓷部件的抗等离子体性能测试方法.pdf

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ISO21859:2019ENFineceramics(advancedceramics,advancedtechnicalceramics)—Testmethodforplasmaresistanceofceramiccomponentsinsemiconductormanufacturingequipment是关于高级陶瓷,先进陶瓷和高级技术陶瓷的测试方法,特别是在半导体制造设备中陶瓷部件的抗等离子体性能。

详细解释如下:

ISO21859:2019是国际标准化组织(ISO)发布的一个标准,它专门针对高级陶瓷,先进陶瓷和先进技术陶瓷的测试方法进行了规定。这些材料在许多高科技领域,如半导体制造设备中有着广泛的应用。

在半导体制造设备中,陶瓷部件经常暴露于高能等离子体环境中。等离子体是一种电离气体,其能量可以改变陶瓷部件的结构和性能,从而影响设备的性能和稳定性。因此,评估陶瓷部件在等离子体环境中的性能是非常重要的。

ISO21859:2019标准提供了测试方法,用于评估陶瓷部件的抗等离子体性能。这种方法通常包括在模拟等离子体环境中对陶瓷部件进行暴露,然后评估其结构和性能的变化。这些变化可以包括表面损伤、化学组成变化、机械性能下降等。

通过执行这些测试,制造商可以确定陶瓷部件在等离子体环境中的表现,并相应地调整制造工艺或选择更耐腐蚀的材料。该标准还提供了对测试方法的描述和指导,以确保测试结果的可靠性和可比性。

ISO21859:2019标准为评估高级陶瓷,先进陶瓷和先进技术陶瓷在半导体制造设备中的抗等离子体性能提供了重要的测试方法和指导。

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