电力电子技术第2章电力电子器件.pptVIP

第2章电力电子器件第2章电力电子器件本章主要内容：◆对电力电子器件的概念、特点和分类等问题作了简要概述。◆分别介绍各种常用电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题。2.1电力电子器件概述2.1电力电子器件概述2.1电力电子器件概述2.1电力电子器件概述2.1电力电子器件概述2.1电力电子器件概述2.1电力电子器件概述2.1电力电子器件概述2.1电力电子器件概述2.1电力电子器件概述2.1电力电子器件概述2.1电力电子器件概述2.1电力电子器件概述2.2不可控器件--电力二极管电力二极管（PowerDiode）：自20世纪50年代初期就获得应用，也称为半导体整流器（SemiconductorRectifier，SR）。其结构、原理简单，工作可靠，直到现在电力二极管仍然大量应用于许多电气设备当中。在采用全控型器件的电路中电力二极管往往是不可缺少的，特别是开通和关断速度很快的快恢复二极管和肖特基二极管，具有不可替代的地位。2.2不可控器件--电力二极管2.2不可控器件--电力二极管■PN结与电力二极管的工作原理电力二极管的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样，都是以半导体PN结为基础的，由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。从外形上看，可以有螺栓型、平板型等多种封装。2.2不可控器件--电力二极管■PN结的形成◆P区。在纯净的硅晶体中掺入三价元素，如硼。杂质元素为负离子。空穴的浓度大于自由电子的浓度。空穴为多数载流子—多子；自由电子为少数载流子—少子。P型半导体主要靠空穴导电，掺入的杂质越多，空穴的浓度就越高，导电性越强。2.2不可控器件--电力二极管■PN结的形成◆N区。在纯净的硅晶体中掺入五价元素，如磷。杂质元素为正离子。自由电子的浓度大于空穴的浓度。自由电子为多数载流子—多子；空穴为少数载流子—少子。N型半导体主要靠自由电子导电，掺入的杂质越多，多子浓度就越高，导电性越强。2.2不可控器件--电力二极管■PN结的形成2.2不可控器件--电力二极管■PN结的形成◆多子的扩散运动和少子的漂移运动N型半导体和P型半导体结合后形成PN结。由于N区和P区交界处电子和空穴的浓度差别，造成了各区多数载流子向另一区移动的扩散运动，到对方区域内成为少数载流子，从而在交界面两侧分别留下带正、负电荷但不能任意移动的杂质离子。这些不能移动的正、负电荷称为空间电荷。空间电荷建立的电场成为内电场或自建电场，其方向是阻碍扩散运动进行的。2.2不可控器件--电力二极管■PN结的形成◆多子的扩散运动和少子的漂移运动另一方面，内电场又吸引对方区域内的少子向本区运动，成为本方的多子，这就是所谓的漂移运动。扩散运动和漂移运动既相互联系又是一对矛盾，最终达到动态平衡，正、负空间电荷量达到稳定值，形成一个稳定的由空间电荷构成的范围，称为空间电荷区。空间电荷区又称为耗尽层、阻挡层或势垒区。2.2不可控器件--电力二极管2.2不可控器件--电力二极管2.2不可控器件--电力二极管2.2不可控器件--电力二极管2.2不可控器件--电力二极管2.2不可控器件--电力二极管2.2不可控器件--电力二极管2.2不可控器件--电力二极管2.2不可控器件--电力二极管2.2不可控器件--电力二极管2.2不可控器件--电力二极管2.2不可控器件--电力二极管2.2不可控器件--电力二极管2.2不可控器件--电力二极管2.2不可控器件--电力二极管2.2不可控器件--电力二极管2.3半控型器件--晶闸管2.3半控型器件--晶闸管2.3半控型器件--晶闸管2.3半控型器件--晶闸管2.3半控型器件--晶闸管2.3半控型器件--晶闸管2.3半控型器件--晶闸管2.3半控型器件--晶闸管2.3半控型器件--晶闸管2.3半控型器件--晶闸管2.3半控型器件--晶闸管2.3半控型器件--晶闸管2.3半控型器件--晶闸管2.3半控型器件--晶闸管2.3半控型器件--晶闸管2.3半控型器件--晶闸管