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ICS31.080
CCSL40/49
团体标准
T/CASAS047—202X（征求意见稿）
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
（SiCMOSFET）动态高温高湿反偏
(DH3TRB)试验方法
Dynamichigh-humidity,high-temperaturereversebias(DH3TRB)for
SiliconCarbideMetal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor
（SiCMOSFET）
（征求意见稿）
在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。
XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施
第三代半导体产业技术创新战略联盟发布
T/CASAS047—202X（征求意见稿）
引言
碳化硅金属氧化物半导体晶体管(SiCMOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态
电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来
越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的
电子器件。
由于SiCMOSFET在功率变换中常面临高压、高频、高温、高湿等复杂应力条件，其终端充放电效应，
在开关性能明显优于Si器件的SiC器件中更为突出，为了验证终端的可靠性不会因器件导通和关断引起
的电场强度持续变化而受到影响，有必要对SiCMOSFET在开关动态情况下的高温高湿反偏可靠性进行
3
评估。本文件给出了适用于SiCMOSFET器件的动态高温高湿反偏(DHTRB)试验方法。
III
T/CASAS047—202X（征求意见稿）
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）动态高温高
3TRB)试验方法
湿反偏(DH
1范围
本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）的动态高温高湿反偏(DH3TRB)
试验方法，用于评估高温高湿高dV/dt对内部结构快速充电导致的老化。
本文件适用于芯片级和模块级SiCMOSFET。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
GB/T4586-1994半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管
3术语和定义
GB/T4586界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
动态高温高湿反偏dynamichigh-humidity,hige-temperaturereversebias
3
DHRB
漏源电压快速开通和关断偏置。
漏源电压上升速率risingrateofdrain-sourcevoltage
dV⁄dt
DS
漏源电压上升沿的变化速率。
开态栅极电压on
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