T CASAS 043—202X SiC MOSFET 高温反偏试验方法.pdf

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS043—202X（征求意见稿）

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFETs）高温反偏试验方法

Hightemperaturereversebiastestingmethodforsiliconcarbide

metaloxidesemiconductorfiledeffecttransistors(SiCMOSFETs)

（征求意见稿）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASAS043—202X（征求意见稿）

引言

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力

强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发

展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频、高湿等极

端环境下工作的电子器件。SiCMOSFET的高温可靠性试验是使器件在高温或高温高湿的环境下，承受高

电压应力，以暴露跟时间、应力相关的缺陷。器件能否能承受规定应力条件下的试验是评估器件实际应

用可靠性的重要手段。

由于SiO与SiC界面缺陷SiC/SiO界面附近的界面陷阱、近界面氧化物陷阱以及氧化物层中的缺陷

22

和可移动电荷等问题，在长期高应力的测试环境下，导致SiCMOSFET器件的失效机制变得复杂，例如阈

值电压V和米勒电容的变化等。SiCMOSFET的高温可靠性试验方法及监控参数，需要做出相应的调

GS(th)

整，本文件给出了适用于SiCMOSFET器件的高温反偏试验方法。

III

T/CASAS043—202X（征求意见稿）

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFETs）高温反偏

试验方法

1范围

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFETs）高温反偏试验方法，包括：

试验装置、试验程序以及失效判据。

本文件适用范围：分立功率器件，功率模块。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T4586-1994半导体器件分立器件第8部分场效应晶体管

GB/T4937.23-2023半导体器件机械和气候试验方法第23部分：高温工作寿命

T/CASAS002-2021宽禁带半导体术语

T/CASAS006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

3术语和定义

GB/T4586-1994、T/CASAS002-2021、T/CASAS006-2020界定的以及下列术语和定义适用于本文

件。

栅-源电压gate-sourcevoltage

V

GS

器件的栅极和源极之间的电压。

漏-源电压drain-sourcevoltage

V

D