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半导体器件的光刻胶技术

考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________

第一部分单选题（本题共15小题，每小题2分，共30分．在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）

1.光刻胶技术在半导体器件制造中的主要作用是（）

A.保护作用

B.导电作用

C.选择性刻蚀作用

D.防氧化作用

2.以下哪种光刻胶属于正型光刻胶？（）

A.紫外线正型光刻胶

B.电子束正型光刻胶

C.紫外线负型光刻胶

D.电子束负型光刻胶

3.光刻胶的曝光过程中，光敏剂发生（）反应。

A.置换

B.还原

C.氧化

D.还原和氧化

4.下列哪个参数是评价光刻胶分辨率的重要指标？（）

A.对比度

B.粘度

C.感光度

D.热稳定性

5.下列哪种光刻技术主要用于制作高分辨率半导体器件？（）

A.紫外线光刻

B.深紫外光刻

C.电子束光刻

D.红外线光刻

6.光刻胶的涂覆方法不包括以下哪一种？（）

A.涂布法

B.滚涂法

C.喷涂法

D.电泳法

7.光刻胶的显影过程中，显影液的主要作用是（）

A.溶解未曝光的光刻胶

B.溶解曝光的光刻胶

C.去除光刻胶表面的杂质

D.修复曝光过程中受损的光刻胶

8.以下哪种因素会影响光刻胶的分辨率？（）

A.光刻胶