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半导体物理学(刘恩科第七版)复习题答案(比
较完全)
第一章习题
1．设晶格常数为的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)
和价带极大值附近
能量EV(k)分别为：
Ec=0
2
20XX20XX202236)(,)(3mkhmkhkEmkkhmkhV
-
=-+0m。试求：
为电子惯性质量，nm
k314.0,1==
π
（1）禁带宽度;
（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;
（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）
eV
mkEkEEEkmdkEdkmk
dkdEEckkmmmdkEdkkmkkmkVCgVVVc
64.012)0()43
(0,060064
1
3
382324
3
0)
(2320
2121022
20
202
1202==-===+===-+因此：取极大值处，所以又因为得
价带：
取极小值处，所以：在又因为：得：由导带：
04
32
2
2*8
3)2(1
mdkEdm
kkCnC
===
1
s
NkkkpkpmdkEdm
kkkkVnV
/1095.704
3
)()
()4(6
)3(25104
3002
2
2*1
1
-===?=-=-=?=-
==所以：准动量的定义：
2.晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，
107V/m的电场时，试分别计
算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。解：根据：t
k
h
qEf??==得qEkt-?=?
s
1
ts
t137
19
282
1911027.810
10
6.1)0(102
7.810106.1)
0(?=??--
=??=??--
=
?π
π
补充题1
分别计算Si（100），（110），（111）面每平方厘米的原子
个数，即原子面密度（提
示：先画出各晶面原子的位置和分布图）
Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所
示：
（）(100)晶面（b）(110)晶面
1
（c）(111)晶面
补充题2
一维晶体的电子能带可写为)2cos81
cos8
7()2
2kkmkE+-=（，式中为晶格常
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