模拟电子技术基础自测题以及答案.pdfVIP

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自测题一

一、判断

1.因为P型半导体的多数载流子是空穴,所以它

带正电。〔〕

2.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,P型半导

可将其改型为体。〔〕

1.半导体中的少数载流子产生

的原因是〔〕。

B.内

A.外电场电场C.掺杂D.热激发

3.二极管的伏安特性曲线的正向局部在环境温度

升高时将〔〕。

B

A.右移.左移C.上移D.下移

4.当外加偏置电压不变时,假设工作温度升高,二极

管的正向导通电流将〔〕。

B

A.增大.减小C.不变D.不确定

5.三极管β值是〕能力的参

反映〔数。

A.电压控B.电流控C.电压控D.电流控制

制电压制电流制电流电压

8.某放大电路中三极管的三个管脚12V,那么

的电位分别为U6V,U,U对应该管

123

的管脚排列依〕

次是〔。

B.bD.c,b,

A.e,b,c,e,cC.b,c,ee

11.场效应管起放大作用时应工作〕

在漏极特性的〔。

C.截止区

A.非饱和B.饱D.击

1/111

区和区穿区

1.在杂质半导体中,多数载流子的

浓度主要取决于。

3.PN结正偏导通,反偏PN性

截止,称为结的能。

6.三极管最重要的

特性是

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