GBT-碳化硅晶体材料缺陷图谱.pdfVIP

ICS29.045

CCSH80

中华人民共和国国家标准

GB/TXXXXX—XXXX

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碳化硅晶体材料缺陷图谱

Collectionofmetallographsondefectsinsiliconcarbidecrystalmaterials

（预审稿）

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

GB/TXXXXX—XXXX

目次

前言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4碳化硅晶体材料缺陷2

4.1晶锭缺陷2

4.2衬底缺陷4

4.3外延缺陷9

4.4工艺缺陷14

5缺陷图谱16

5.1晶锭缺陷16

5.2衬底缺陷17

5.3外延缺陷23

5.4工艺缺陷37

6缩略语39

参考文献40

索引错误！未定义书签。

I

GB/TXXXXX—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化

技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。

本文件起草单位：东莞市天域半导体科技有限公司等。

本文件主要起草人：刘薇等。

II

GB/TXXXXX—XXXX

碳化硅晶体材料缺陷图谱

1范围

本文件规定了导电型4H-SiC晶体材料缺陷的术语和定义、形貌特征和产生原因。

本文件适用于涉及碳化硅单晶晶锭、碳化硅衬底片、碳化硅外延片、碳化硅器件研发、生产制备及

性能检测、分析的从业者。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T14264半导体材料术语

3术语和定义

GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

晶锭缺陷ingotdefect

4H-SiC晶锭在PVT法生长过程中因籽晶自身缺陷延伸、偏离化学计量比、晶锭内部应力和杂质而产

生的晶体缺陷。

3.2

衬底缺陷substratedefect

4H-SiC衬底中的结晶缺陷或结构缺陷以及切、磨、抛加工后遗留在4H-SiC衬底表面上的缺陷。

3.3

外延缺陷epitaxialdefect

4H-SiC外延层中的结晶缺陷与4H-SiC外延层表面上因采用台阶流动控制外延生长方法而产生的表

面形貌缺陷。

3.4

结晶缺陷crystallinedefect

1

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4H-SiC晶体中的点、线、面及体缺陷，包括：4H-SiC衬底中的点、线、面及体缺陷，以及4H-SiC

外延层中的点、线、面（晶界、层错）缺陷。

3.5

扩展缺陷extendeddefect

从衬底贯穿到外延层，或随外延层厚度增大而延伸的结晶缺陷和表面形貌缺陷。

3.6