600V 沟槽 FS IGBT的器件设计.docx

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2024-08-16 发布于湖南
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TrenchFSIGBT是一种基于尖晶硅制成的场阻型IGBT，其工作压力和导通压降都很高，但阈值电压只有4V左右通过使用软件Silvaco的结构参数来模拟该器件的设计，研究人员成功实现了600V，导通压降小于2V，阈值电压在4V左右的TrenchFSIGBT

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600V沟槽FSIGBT的器件设计

摘要

场阻型IGBT（Field-StopIGBT,FS-IGBT）是目前为止发展起来的非常先进的结构。它具有许多半导体器件所不具备的很多的优势，因此被广泛地应用于工业领域和消费领域。我国虽然对IGBT的研究取得了不小的成就。但是，相较于国外，我国的制造工艺水平仍然低于外国的先进水平，结合现有的工艺，设计本毕业设计实现一款耐压能力为600V，导通压降小于2V，阈值电压在4V左右的的TrenchFSIGBT。

本论文的研究的主要内容如下：

1：对IGBT的发展历程进行了概述，对FSIGB

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