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Hf0.5Zr0.5O2(HZO)基FeFET的低温特性研究
摘要:铁电存储器是一种利用铁电薄膜两个稳定的极化状态实现“0”和“1”存储的存储器,具有非易失性存储、功耗低和读写速度快等优势。自2011年研究者报道了在氧化铪中发现了铁电性,国内外高校和研究单位对它进行了密切的报道。作为一种新型铁电材料,氧化铪基铁电薄膜具有与CMOS工艺高度兼容、high-k特性、更低的极限物理厚度、无铅污染等优点,使其能完美的融入工艺节点技术中,为下一代新型存储器的研究发展提供了新的路径。在铁电场效应晶体管应用中,由于晶体管的铁电氧化物和半导体沟道对于温度的依赖性不同,
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