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半导体物理与器件第四版课后习题答案

第一章半导体材料基础知识

1.1小题一

根据题目描述，当n=5时，半导体材料的载流子浓度

为’n=2.5×1015cm(-3)’，求势垒能为多少？

解答：根据势垒能公式

E_g=E_c-E_v

其中E_g为势垒能，E_c为导带底，E_v为价带顶。

根据载流子浓度和温度的关系

n=2*（2*pi*m_e*k*T/h^2）^(3/2)*

e^(-E_g/(2*k*T))

其中m_e为载流子质量，k为玻尔兹曼常数，T为绝对温

度。

可以得到

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E_g=-2*k*T*ln(n/(2*（2*pi*m_e*

k*T/h^2）^(3/2)))

代入已知条件，计算得到势垒能为

E_g=-2*1.38*10^(-23)*300*ln(2.5*10

^15/(2*（2*pi*9.1*10^(-31)*1.38*10^

(-23)*300/(6.63*10^(-34))^2）^(3/2)))

1.1小题二

根据题目描述，当势垒能E_g=1.21eV时，求温度为多少时，

载流子浓度为’n=5.0×1015cm(-3)’？

解答：按照1.1小题一的公式，可以求出温度T

T=E_g/(2*k*ln(n/(2*（2*pi*m_e*

k*T/h^2）^(3/2))))

将已知数据代入公式，计算得到温度

T=1.21/(2*1.38*10^(-23)*ln(5*10^15

/(2*（2*pi*9.1*10^(-31)*1.38*10^(-2

3)*T/(6.63*10^(-34))^2）^(3/2))))

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第二章半导体材料与器件基本特性

2.1小题一

根据题目描述，当Si掺杂浓度[N_b]为5×10^15cm和

(-3)[P_e]

为2×1017cm^(-3)，求Si中的载流子浓度和导电类型。

解答：根据半导体材料的导电特性，当掺杂浓度为P型时，

载流子为空穴，掺杂浓度为N型时，载流子为电子。

故，载流子浓度为

n(cm^(-3))=[P_e]=2×10^17

p(cm^(-3))=[N_b]=5×10^15

导电类型为P型。

2.1小题二

根据题目描述，当P型硅掺杂浓度为2×10^17cm^(-3)时，

Fermi能级为0.55eV，求热激发能为多少？

解答：根据Fermi能级和热激发能的关系

E_g=E_f+E_1/2

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其中E_g为禁带宽度，E_f为Fermi能级，E_1/2为热激发

能。

可以得到