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第一部分第一部分
模拟电子技术基础
第四版第四版
清华大学电子学教研组编
童诗白华成英主编
自测题与习题解答
第1章常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确，用“×”和√“”表示判断结果填入空内。
(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(√)
(2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(×)
(3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。(√)
(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。(×)
(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R
GS
大的特点。(√)
(6)若耗尽型N沟道MOS管的U大于零，则其输入电阻会明显变小。(×)
GS
二、选择正确答案填入空内。
(l)PN结加正向电压时，空间电荷区将A。
A.变窄B.基本不变C.变宽
(2)稳压管的稳压区是其工作在C。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿
(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏
(4)UGS=0V=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A、C。
A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管
三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD0.7V。
图T1.3
解：U1.3V,U0V,U-1.3V,U2V,U1.3V,U-2V。
O1O2O3O4O5O6
四、已知稳压管的稳压值U6V，稳定电流的最小值I5mA。求图Tl.4所示电路中U
ZZminO1
和U各为多少伏。
O2
(a)(b)
图T1.4
解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO16V。
右图中稳压管没有击穿，故UO25V。
五、电路如图T1.5所示，V=15V，100，，U=0.7=0.7V。
CCBE
试问：
(1)R=50k时，Uo=?
b
(2)若T临界饱和，则R?
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