2024年太阳能电池板测试与质量控制行业分析报告.docxVIP

2024年太阳能电池板测试与质量控制行业分析报告.docx

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太阳能电池板制造流程

1原材料采购与处理

在太阳能电池板的制造流程中,原材料的选择与处理是至关重要的第一步。主要原材料包括硅片、封装材料(如EVA膜)、背板、玻璃、接线盒和铜线等。这些材料的质量直接影响到电池板的性能和寿命。以下是对主要原材料的采购与处理流程的深入分析:

1.1硅片

硅片是太阳能电池板的核心组成部分,其质量决定了电池板的光电转换效率。硅片的采购主要关注纯度、厚度、尺寸和表面质量。硅片的处理主要包括清洗、制绒、扩散、蚀刻和镀膜等步骤,每一步都对电池片的性能有重要影响。

处理步骤

目的

关键控制点

清洗

去除硅片表面的污染物和氧化层

清洗剂的选择与浓度、清洗温度和时间

制绒

提升硅片的光吸收能力

酸碱比例、处理时间和温度

扩散

形成PN结,使硅片具有光电转换能力

扩散温度、时间和掺杂剂的浓度

蚀刻

去除硅片表面的损伤层和杂质

蚀刻液的组成、温度和时间

镀膜

减少反射损失,提高光吸收率

镀膜材料的选择、厚度和均匀性

1.2封装材料

封装材料主要为EVA膜,其作用是保护电池片和玻璃背板,增强电池板的防水、防尘和抗紫外线性能。EVA膜的采购重点在于其透光率、熔点和粘结性。而其处理则主要关注于熔化和固化的温度与时间控制,以确保良好的封装效果。

关键性能指标

标准范围

采购要点

透光率

90%

选择高透光率材料,以保证电池板的光电转换效率

熔点

110°C-140°C

根据电池板制造过程中的加热设备选择合适的熔点

粘结强度

20N/cm

选择具有良好粘结性的EVA膜以确保电池板的结构稳定性

1.3背板

背板是电池板的后侧部分,其主要作用是保护电池板免受外界环境的影响,尤其是防止水分和氧气的侵入。背板的采购主要考虑其耐候性、阻水性和电气绝缘性能。背板的处理则主要关注于其与组件的粘结和密封。

关键性能指标

标准范围

采购要点

耐候性

UV老化后,强度下降不超过20%

选择具有优异UV抗性的背板材料

阻水性

水透性0.1g/m2/day

选择低透水率背板,以提供良好的防水性能

电气绝缘性能

1000MΩ·cm

确保背板具有良好的电气绝缘性能,防止短路

1.4玻璃

玻璃作为电池板的前盖材料,不仅保护电池片,还影响电池板的透光率和耐候性。玻璃的采购主要关注其透光率、厚度和耐候性。玻璃的处理则主要包括清洗和边缘处理,以确保无尘、无油、无水的纯净表面和防止水汽侵入的边缘密封。

关键性能指标

标准范围

采购要点

透光率

90%

选择高透光率的玻璃以保证电池板的光电转换效率

厚度

3mm-4mm

根据电池板的应用环境和强度要求选择合适的玻璃厚度

耐候性

经过2000h的盐雾测试,表面无明显腐蚀

选择具有优异耐候性的玻璃,以延长电池板的使用寿命

2电池片制备技术

电池片的制备技术直接影响到电池板的光电转换效率和成本。主要技术包括传统的丝网印刷技术、PERC技术、N型双面电池技术等。

2.1丝网印刷技术

丝网印刷技术是将金属导电浆料通过丝网印刷的方式涂覆在电池片表面,形成电极。这种技术成本较低,但转换效率受到金属化电阻的影响,通常用于P型单晶硅电池片的制造。

2.2PERC技术

PERC(PassivatedEmitterandRearCell)技术通过在电池片的背面添加一个钝化层,减少载流子的复合,从而提高光电转换效率。PERC电池片的制备需要更精细的工艺控制,但能够显著提升电池板的性能。

2.3N型双面电池技术

N型双面电池技术利用N型硅片和特殊的钝化层,使电池片能够在双面同时吸收光线,提高了电池板的光电转换效率和能量利用效率。这种电池片的制造成本相对较高,但在某些应用场景下能够提供更高的收益。

3组件装配工艺

组件装配工艺是将电池片与封装材料、背板和玻璃等组合,形成完整的电池板组件的过程。主要工艺包括层压、焊接、接线盒安装和边缘密封等。

3.1层压

层压是将电池片、EVA膜、背板和玻璃在高温下通过压力结合在一起,形成密封组件。关键工艺参数包括温度、压力和时间,其控制对组件的封装质量和可靠性有直接影响。

工艺参数

标准范围

控制要点

温度

140°C-150°C

精确控制层压温度,以确保EVA膜的充分熔化和固化

压力

10-20N/cm2

适当的压力有利于材料之间的紧密结合

时间

30min-60min

充足的时间确保材料间的充分反应和固化

3.2焊接

焊接工艺涉及将电池片之间的铜带和汇流条连接起来,形成电路。焊接质量直接影响电池板的电性能,包括接触电阻和机械强度。

工艺参数

标准范围

控制要点

温度

420°C-440°C

精确控制焊接温度,防止硅片过热损伤

压力

0.1-0.2N

调整焊接压力,确保良好的导电接触

时间

2-3s

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