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自旋电子器件中斯格明子结构异性的运动特性优化研究

摘要

在微电子行业中，集成电路设计一直跟随著名的摩尔定律在快速发展，现在已经达到一个芯片上可以集成上百亿个晶体管。但是由于当下对集成电路集成度高，尺寸小，功耗低等要求，使我们对晶体管尺寸的要求越来越高，随着晶体管尺寸的缩小而产生的量子效应的漏电流和它带来的热效应使得摩尔定律在集成度的发展上遇到挑战。研究表明，斯格明子是一种具有拓扑保护的类粒子自旋结构，用它作为电子信息的载体将有可能会解决量子效应带来的问题。这一发现引起了从物理到电子领域的广泛关注。斯格明子具备尺寸小、结构稳定、驱动阈值电流小等诸多优点，将成为新一代物