芯片半导体制工艺技术：金属化PPT文档.pptxVIP

半导体制造技术;概述;目标;引言;;?层间介质（ILD）是绝缘材料，它分离了金属

之间的电连接。ILD一旦被淀积，便被光刻成;;;;;在硅片制造业中;金属铝;;欧姆接触;;;;IC互连金属化引入铜的优点;;;对铜的挑战;;阻挡层金属在半导体工业中被广泛应用。为

了连接铝互连金属和硅源漏之间的钨填充薄膜接

触，阻挡层金属阻止了硅和钨互相进入接触点，

也阻止了钨和硅的扩散以及任何结尖刺。可接受

的阻挡层金属的基本特征：;铜在硅和二氧化硅中都有很高的扩散率，这

种高扩散率将破坏器件的性能。传统的阻挡层金

属对铜来说阻挡作用不够，铜需要由一层薄膜阻

挡层完全封闭起来，这层封闭薄膜的作用是加固

附着并有效地阻止扩散。对铜来说对这个特殊的

阻挡层金属要求：;;硅化物;;;;;自对准硅化物;;;金属填充塞;;;金属淀积系统;蒸发;;溅射：;;基本溅射步骤;溅射中的物理学;;除了被溅射的原子被轰击外，还有其它核素

淀积在衬底上（见下图）。这些核素给衬底加热;;磁控溅射;;准直溅射;;;金属CVD：;;;密度而增加，两者都会使铝芯片金属化更易引起

系统，它不能用于溅射介质，因为电极被介质覆

电极，相对而言它有较高的电阻率（约500μΩ-cm

原子，碰撞电离外层电子，产生了带正电荷的氩

第二层ILD淀积和穿过

电阻率的减小：在20℃时，互连金属线的电阻

光刻确定图形、干法刻蚀通孔窗口进

用CMP清除额外的铜，这一过程平坦

具有Ti/TiN阻挡层金属的垫膜钨CVD

层必须是均匀的并且没有针孔。

俘获并限制电子于靶的前面（见下图）。

定图形之前将通孔窗口放在槽里。

?自对准硅化物的主要优点是避免了对准误差。;铜电镀;;;表明溅射薄膜覆盖通孔的剖面图

传统和大马士革金属化比较

淀积连续的铜种子层，种子

65μΩ-cm的低电阻率，比铜

具有多腔集成设备，能够在淀积金属前清除硅片

用CMP清除额外的铜，这一过程平坦

中加热并使之蒸发（见下图）。

在一层ILD中制造通孔的工艺，在芯片上的

65??-cm减小到铜的1.

25-?m器件比较互连延迟的变化

击靶表面时，氩离子的动能转移给靶材料以撞击

?自对准硅化物的主要优点是避免了对准误差。

黏附性：能够黏附??层衬底，容易与外电路实现电连接

难熔金属与硅在一起发生反应，熔合时形成

在槽和通孔的底部及侧壁用离子化的;;;;;;;;;金属化质量测量;小结;?连接金属时常使用阻挡层金属，不同的阻挡层