第四章-半导体器件.pptVIP

;§4—1?晶体二极管;二极管在实际中的应用;一、二极管的结构和符号

二极管是由半导体材料硅（Si）、锗（Ge）及其化合物制成的器件。所谓半导体材料是指导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，常见的有硅和锗。;二、二极管的工作特点及主要参数

1.二极管的工作特点

（1）二极管的单向导电性;（2）二极管的伏安特性曲线

正向电压很小的范围称为死区，相应的电压称为死区电压。使二极管开始导通的临界电压称为开启电压或门坎电压，通常用Uon表示，硅管的开启电压Uon约为0.5?V，而锗管的开启电压Uon为0.1～0.2?V。

二极管正向导通时，硅管的正向压降为0.7?V左右，锗管的正向压降为0.3?V左右。;2.二极管的主要参数

（1）最大整流电流IFM

指二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。

（2）最高反向工作电压URM

指二极管正常工作时所允许外加的最高反向电压。

（3）反向电流IR

指在规定的反向电压（＜UBR）和环境温度下的反向电流。;二极管的其他分类;二极管的其他分类;§4—2?晶体三极管;扩音机实物及工作原理示意图

a）扩音机?b）扩音机工作原理示意图;一、三极管的结构和外观识别

1.三极管的结构

三极管是一个三层结构、内部具有两个PN结的器件，它的中间层称为基区，基区的两边分别称为发射区和集电区，三极管的发射区和集电区是同类型的半导体，所以三极管有两种半导体类型。;三极管的结构和图形符号

a）NPN型三极管结构和图形符号?b）PNP型三极管结构和图形符号;2.三极管的外观识别;常见三极管的引脚分布规律;二、三极管的分类;三、三极管的工作特点

1.三极管的电流分配关系

根据基尔霍夫电流定律，三极管的发射极电流等于集电极电流与基极电流之和，即

IE?=?IC?+?IB。

由于基极电流很小，所以集电极电流与发射极电流近似相等，即IC≈IE。;2.三极管的电流放大作用

三极管集电极直流电流IC与相应的基极直流电流IB之间的比值几乎是固定不变的，称为共发射极直流电流放大系数，;3.三极管的伏安特性曲线

（1）输入特性曲线

三极管的输入特性是指基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系。;（2）输出特性??线

三极管的输出特性曲线是指集电极电流IC与电压UCE之间的关系。;四、三极管的主要参数

1.共射电流放大系数β

β值是表征三极管电流放大作用的最主要的参数，一般为20～200，β值太大时，工作性能不稳定，通常选用β值为60～100。;2.极限参数

（1）集电极最大允许电流ICM

集电极电流过大时，三极管的β值要降低，一般规定β值下降到正常值的2/3时的集电极电流为最大允许电流。

（2）集电极—发射极反向击穿电压U（BR）CEO

是指基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压。

（3）集电极最大允许耗散功率PCM

PCM小于1?W的称为小功率管，大于1?W的称为大功率管。;§4—3?场效应管;一、结型场效应管

1.结型场效应管的结构

结型场效应管有N沟道和P沟道两种，结构示意图和图形符号如图所示。;2.结型场效应管的电压控制作用

这种UGS?=?0，ID≠0的工作方式称为耗尽型。使导电沟道完全合拢所需要的栅源电压UGS称为夹断电压UP。;二、绝缘栅型场效应管

绝缘栅型场效应管简称MOSFET。;耗尽型绝缘栅场效应管的电压控制作用和结型场效应管的电压控制作用大致相同。;三、场效应管的主要参数

1.夹断电压UP

当UDS为某一定值（测试条件）时，对于结型场效应管和耗尽型MOS管，UP为ID减小到近似为零（1μA、10μA）时的栅源极电压UGS值。

2.开启电压UT

当UGS为某一定值（测试条件）时，增强型MOS管开始导通时的UGS就为UT。N沟道的增强型MOS管的UT为正值，P沟道的增强型MOS管的UT为负值。;3.饱和漏极电流IDSS

对结型场效应管和耗尽型MOS管来说，栅源极电压UGS?=?0时的漏极电流为IDSS，它反映了场效应管输出的最大漏极电流。

4.最大漏源击穿电压U（BR）DS

它是指漏极与源极之间的最大反向击穿电压，即当ID急剧上升时的UDS值。

5.跨导gm

当UDS为某一定值（测试条件）时，ID的微小变化量与UGS的微小变化量之比，

即。gm反映了栅源极电压对漏极电流的控制能力。;四、场效应管的使用及注意事项

1.场效应管在使用中要注意电压极性。

2.为了防止栅极击穿，要求一切测试仪器、电烙铁都必须有外接地线。焊接时用小