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经验总结：关于正激变压器的设计

正激变压器由于储能装置在后面的BUCK电感上，所以没有

Flyback变压器那么复杂，其作用主要是电压、电流变换，电气隔离，

能量传递等。所以，我们计算正激变压器的时候，一般都是首先以变

压次级后端的BUCK电感为研究对象的，BUCK电感的输入电压就是

正激变压器次级输出电压减去整流二极管的正向压降，所以我们又称

正激电源是BUCK的隔离版本。

首先说说初次级匝数的选择：以第三绕组复位正激变压器为例，

一旦匝比确定之后，接下来就是计算初次级的匝数，论坛里有个帖子

里的工程师认为，正激变压器在满足满负载不饱和的情况下，匝数越

小越好。

其实这是个误区，匝数的多少决定了初级的电感量（在不开气隙，

或开同样的气隙情况下），而电感量的大小就决定了初级的励磁电流

大小，这个励磁电流虽不参与能量的传递，但也是需要消耗能量的，

所以这个励磁电流越小电源的效率越高；再说了，过少的匝数会导致

deltB变大，不加气隙来平衡的话，变压器容易饱和。

无论是单管正激还是双管正激，都存在磁复位的问题。且都可以

看成是被动方式的复位。复位的电流很重要，如果太小了复位效果会

被变压器自身分布参数（主要是不可控的电容，漏感）的影响。复位

电流是因为电感电流不能突变，初级MOSFET关断之后，初级绕组的

反激作用，又复位绕组跟初级绕组的相位相反，所以在复位绕组中有

复位电流产生复位电流关系到磁芯能否可靠的退磁复位，其重要性不

言自喻；当变压器不加气隙时，其初级电感量较大，复位电流自然就

小。

但在大功率的单管正激和双管正激的实际应用中，往往需要增加

一点小小的气隙，否则设计极不可靠，大功率的电源，一次侧电流很

大,漏感引起的磁感应强度变化，B=I*Llik/nAe,就大，加气隙是为了减

小漏感Llik。

正激的占空比主要是取决于次级续流电感的输入与输出，次级则

就是一个BUCK电路，而CCM的BUCK线路Vo=Vin*D，跟次级的

电流无关

Vo=Vin*D

Vo:输出电压，Vin：BUCK的输入电压，即正激变压器的输出电

压减去整流管的正向压降，D：占空比在此，输出电压是已知的我们只

要确定一个合适的占空比，就可以计算出BUCK电感的Vin，也就是说

变压器的输出电压基本就定下来了。在这特别要提醒大家，占空比D

的取值跟复位方式有很大的关系，建议D的取值不要超过0.5。

知道变压器的输出电压Vs之后，那么就可以根据输入的电压来计

算出变压器的匝比了，这里要用最低输入直流电压来计算匝比，因为

最低输入的直流电压对应最大的占空比。此Vs的电压对于选择次级整

流二极管的耐压也是一个很重要的数据。

选择匝比的时候请大家注意，因为计算出来的值一般都是小数点

后有一位甚至几位的值，而我们在实际绕制变压器的时候，零点几匝

的绕法非常困难，所以尽量取整数倍的匝比；当然，如果计算变压器

的时候，变压器的初次级匝数比也不排除刚好是小数的情况。

正激变压器加少量气隙能将电-磁转换中的剩磁清空,磁芯的实际利

用率增加,同时增加的一点空载电流在大功率电流中所占比例较小,效率

不会受到太大影响,这样可以让变压器不容易饱和,电源的可靠性增加,同

时可以减少初级匝数,变压器内阻降低,能小体积出大功率.加气隙也相当

于增大了变压器磁芯,但实际好处(特别是抗饱和能力)是胜于加大磁芯

的。加气隙后,减小的电感量会被增加的磁芯利用率补回来,而且有余,是

合算的不用担心。

复位绕组的位置问题，是跟初级绕组近好呢，还是夹在初次级之

间好？如果并绕，当然跟初级的耦合是最好的，但对漆包线的耐压是

个考验！当然这不至于直接击穿。

无论从EMC角度还是工艺角度来说，复位绕组放在最内层比较好，

实际量产中这是这样绕的占多数。

单管正激，如果是市电或有PFC输出电压作为输入的话，

MOSFET的最低耐压是2倍直流母线电压，再加上漏感的因素，

MOSFET建议选800V甚至900V