功率二极管的散热课件.pptVIP

对于器件用户来说,结壳热阻RθJ-C是不能改变的一个器件因素,它同Tjmax、最大功耗Pdm一起决定壳温的上限*接触热阻RθC-S的大小与多种因素有关,它不但取决于器件的封装形式、界面平整度和散热器的安装压力,还取决于管壳与散热器之间是否加有绝缘垫片或导热硅脂。增加安装压力可减小RθC-S,涂导热脂可降低RθC-S,但加绝缘垫片可使RθC-S增加*当功率器件工作在开关模式之中时,其峰值结温与平均结温有一定的差别。在电流脉冲的持续时间较长,占空比也较高的情况下,峰值结温有可能非常接近平均结温。这时,热阻的概念仍然适用。*tp—器件导通时间矩形脉冲，若幅值为Pp，则其平均值:*在脉冲较短,占空比比较低的情况下,峰值结温有可能远高于平均结温,成为器件工作特性的主要限制因素。这时的结温高低不仅与器件的消耗功率有关,还在很大程度上决定于电流脉冲的形状、持续的时间和重复的频率。因而热阻的概念不再适用,须用瞬时热阻抗这个新概念代替。其反映了热传体的热惯性在热量传递的瞬变过程中对热阻的改变,用Zθ表示。r(tp)——是一个与脉冲宽度tp及占空比有关的比例因子,本质上也就是以稳态热阻为1的归一化瞬态热阻抗。**散热器是以对流和辐射的方式将热能传到环境中去的,散热器的热阻RθS-a与散热器的材质、结构、表面颜色、冷却方式及安装位置有关。*散热器的形状（1）平板型（2）叉指型（3）型材型**功率二极管新型功率器件*功率二极管新型功率器件*功率二极管新型功率器件*功率二极管新型功率器件*肖特基二极管特点优点:1、正向导通压降低2、反向漏电流受温度变化小3.动态特性好，工作频率高缺点:1、反向漏电流大2.耐压低*目前主要使用的半导体材料有硅和砷化镓二种。GaAs介电常数小、迁移率大,相对硅、锗二极管,其结电容CJ和串联体电阻小、截止频率高、噪声小,缺点是GaAs和金属接触的势垒高度,一般比硅大,因而导通电压比较高。由于电子的迁移率比空穴大,为获得良好的频率特性,故一般选择n型的半导体材料作基片。材料、结构和工艺*为了减小SBD的结电容,提高反向击穿电压,同时又不使串联电阻过大,通常是在N＋衬底上外延一高阻N－薄层。金属材料应选用与半导体接触形成的势垒高度较低的金属。对于n-Si,常用的金属有Ni、Mo、Ti、Pt对于n-GaAs,采用过的金属有Au、Ag、Ni、Cr、Ti*功率肖特基势垒二极管主要是利用薄膜淀积技术在N型低阻硅上,淀积一层金属（铬、铂、钨、钼等）制成。其结构有二种,如右图所示*P型环与n型外延层构成pn结,它与肖特基二极管并联,肖特基二极管的正向压降低于pn结的,不会影响肖特基二极管的正向特性,但反向状态下,p区将增加边缘势垒层的曲率和半径,反向特性得到明显改善。*一、期待中的SiC器件随着对大功率变换器、高速变换器的需求日益增加，开始感到硅功率器件的性能受到限制，面对广阔的市场，不得不考虑一些新的材料，长远考虑金刚石是一理想的材料，近年来SiC材料越来越受到重视，有人预言:碳化硅是21世纪最好的电力电子器件材料。*SiC晶体也是一种多晶型的，从物理参数看，与Si相比有以下特点:①带隙宽度是硅的2~3倍②绝缘击穿电场是硅的10倍③热导为硅的3倍④本征温度是硅的3~4倍这些特点决定了碳化硅是制作功率器件的理想材料*

2000年5月4日,美国CREE公司和日本关西电力公司联合宣布研制成功12.3kV的SiC功率二极管,其正向压降VF在100A/cm2电流密度下为4.9V。这充分显示了SiC材料制作功率二极管的巨大威力。*一、散热原理二、散热器及其安装*半导体器件的基本结构是PN结,而PN结的性能与温度密切相关,为了保证器件正常工作,必须规定最高允许的结温Tjm,与最高结温对应的器件的耗散功率即是器件允许的最大的耗散功率。器件正常工作时不能超过最高结温和功率的最大允许值,否则器件的特性与参数将要发生变化,甚至因为电极或半导体层的熔化而将永久失效。*但电力电子器件在传递和处理电能的同时,也要通过电-热转换消耗一部分电能。为了保持器件的正常工作,由消耗电能转换而成的热量必须及时传出器件并有效的散发掉。这就涉及到散热原理与散热措施两方面的内容。*自然散热的方式（热力学原理）热传导热对流热辐射*电力电子器件的主要发热部位在半导体芯片内部,由消耗电能